--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
K5A53DA4-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N 沟道功率 MOSFET,专为高压应用设计。其漏源极电压 (VDS) 高达 650V,栅源极电压 (VGS) 范围为 ±30V,开启电压 (Vth) 为 3.5V,导通电阻 (RDS(ON)) 为 1100mΩ@VGS=10V,最大漏极电流 (ID) 为 7A。该产品采用 Plannar 平面技术,适合在高压条件下运行,具有较好的耐用性和电气性能,广泛应用于工业和电源系统中。
### 详细参数说明:
- **封装类型**: TO220F(提供增强的散热性能和绝缘能力)
- **配置**: 单一 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar 平面技术,确保高压下的可靠性和低损耗
### 应用领域和模块:
1. **高压电源转换器**:K5A53DA4-VB 的 650V 漏源极电压使其特别适用于 AC-DC 转换器和工业级 DC-DC 电源转换器,能够在高电压环境下高效转换电能,确保系统稳定性和耐用性。
2. **家用电器电源模块**:在冰箱、洗衣机、空调等家用电器中,该器件适合用作电源开关和电压调节元件,能够为设备提供可靠的电压控制,并且在高压环境下保证电器的正常运行。
3. **工业电机驱动器**:K5A53DA4-VB 在电机控制系统中应用广泛,特别是在需要承受高电压的工业环境中,用于驱动大功率电机时能提供可靠的电流控制和保护功能。
4. **照明系统**:该 MOSFET 适合在 LED 驱动器等高压照明系统中使用,能够为 LED 照明提供稳定的电流和电压调节,提升照明系统的效率和使用寿命,尤其在工业和商用照明中表现出色。
5. **逆变器和不间断电源 (UPS)**:K5A53DA4-VB 可应用于高压逆变器和 UPS 系统,确保在电力转换过程中有效的电源管理,适用于数据中心和关键基础设施的电力保护。
K5A53DA4-VB 的高压能力和适中的电流承载能力,使其非常适合需要高压电力转换、工业控制以及高可靠性电源管理的应用场景。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12