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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K5A50D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K5A50D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K5A50D-VB MOSFET 产品简介

K5A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压应用设计,具有650V的漏源电压(VDS)。该器件采用平面(Plannar)技术,具备稳定的电气性能,支持高效的功率转换。其栅源电压最大为 ±30V,阈值电压为 3.5V,在 VGS=10V 时导通电阻为 1100mΩ,最大漏极电流为 7A。凭借其高耐压和可靠性,该 MOSFET 可广泛应用于各类高压电力电子设备。

### 二、K5A50D-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **沟道配置**:单 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **开启阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:7A
- **技术类型**:平面技术(Plannar)
- **功耗(Ptot)**:50W
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **热阻**:62°C/W(结点到环境)

### 三、K5A50D-VB MOSFET 的应用领域和模块

1. **开关电源(SMPS)**
  K5A50D-VB 非常适合用于高效开关电源中,尤其是在需要处理高压的应用场合。其650V的高耐压性能使其可以在高压输入和输出之间安全切换,确保开关电源在恶劣的工作条件下运行稳定。该 MOSFET 可用于工业电源、数据中心电源以及电信设备电源。

2. **逆变器和电源转换模块**
  在太阳能光伏逆变器和电动车的电源管理系统中,K5A50D-VB 的高电压和高可靠性使其成为直流到交流电转换过程中的理想选择。该 MOSFET 的650V耐压能力能够有效支持逆变器在高电压条件下的高效转换,确保系统稳定运行。

3. **工业控制**
  K5A50D-VB 还适用于工业控制领域中的高压开关设备。比如工厂自动化中的电机控制系统、变频器和高压继电器等设备,K5A50D-VB 能够提供快速的电流切换和稳定的电压调控,提升工业设备的性能和可靠性。

4. **家用电器**
  高压家用电器,如空调、冰箱和洗衣机,通常需要具备高电压耐受能力的半导体元件。K5A50D-VB 能够支持这些电器的高效电力转换和管理,提升其运行效率,确保设备在高负载或电压波动时仍能稳定工作。

综上,K5A50D-VB MOSFET 适用于开关电源、逆变器、工业控制和家用电器等高压应用领域。它的高压能力和稳定性能使其在这些应用中能够有效提升系统的可靠性与效率。

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