--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
K5A45DAA4-VB 是一款N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,专为高压应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为650V,具备处理高压环境的能力,非常适合工业级电源和控制电路应用。其阈值电压(Vth)为3.5V,确保在较低的驱动电压下可靠启动。K5A45DAA4-VB 的导通电阻(RDS(ON))为2560mΩ(在VGS为10V时),虽然导通电阻较高,但适合用于低功耗应用。其最大漏极电流(ID)为4A,采用Plannar技术,该器件具有较好的热稳定性和可靠性,适合长时间工作的应用场景。
### 二、详细参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:4A
- **技术**:Plannar
- **其他性能**:K5A45DAA4-VB 设计适用于高压应用,具备良好的散热性和电流处理能力,适合在长期运行条件下稳定工作。
### 三、应用领域和模块
K5A45DAA4-VB 主要适用于以下领域和模块:
1. **工业电源管理**:该MOSFET可以在高压开关电源(SMPS)中使用,尤其适用于工业自动化设备和电源控制模块。它的650V电压处理能力使其在高压电源中表现出色,确保设备在高电压下的稳定运行。
2. **家用电器控制**:在需要高压控制的家用电器中,如空调和冰箱的电源控制电路,K5A45DAA4-VB 能够有效提供电力管理,提升家电的运行效率和可靠性。
3. **LED照明系统**:该MOSFET也适用于高压LED驱动电路,尤其在高功率LED灯具的驱动模块中,能够实现高效的开关控制,提升照明系统的整体能效。
4. **电池管理系统**:K5A45DAA4-VB 的高电压特性和可靠的导通性能,使其在电动工具和电池组的电源管理系统中发挥作用,确保电池充放电管理的安全性和效率。
综上所述,K5A45DAA4-VB 具备处理高电压的能力,适用于多种高压电源管理和控制场景,是工业电源和家用电器电源控制的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12