--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、K4A60-VB MOSFET 产品简介
K4A60-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为650V电压应用设计。其最大栅源电压(VGS)为 ±30V,开启阈值电压(Vth)为 3.5V,具有适中的漏极电流能力,最大漏极电流(ID)为 7A。该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 1100mΩ,确保在开关和导通过程中具有合理的功耗。K4A60-VB 采用平面工艺(Plannar)技术,适合在多个高压应用中提供可靠的性能。
### 二、K4A60-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **沟道类型**:单 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **开启阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:7A
- **技术类型**:平面技术(Plannar)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
### 三、K4A60-VB MOSFET 的应用领域和模块
1. **高压电源转换**
K4A60-VB 适用于高压电源转换应用,如开关电源和直流-直流转换器。这款 MOSFET 能够承受高达650V的电压,确保在高压操作下稳定工作,从而提高电源系统的整体效率。
2. **电机控制系统**
K4A60-VB 可以用于电机控制应用,尤其是在需要高压和高效率的场合。它能够在电机启动和停止过程中快速切换,提供更好的控制精度和响应速度。
3. **太阳能逆变器**
此 MOSFET 适合用于太阳能逆变器中,其高电压耐受性使其能够有效控制从太阳能电池板到电网的电能转换过程,提高系统的可靠性和能效。
4. **电池管理系统**
K4A60-VB 在电池管理系统中也有广泛应用,尤其是在需要高电压和电流管理的场景。它能够确保电池充放电过程中的安全性和高效性,适用于电动汽车和储能系统。
5. **家用电器**
该 MOSFET 适用于高压家用电器控制,如电热水器、空调和洗衣机等。其稳定性和高电压能力使其在这些高负载设备中表现出色,提升了电器的安全性和可靠性。
综上所述,K4A60-VB 作为一款高性能的高压 MOSFET,能够在多种高压应用中提供有效的开关控制,广泛适用于电源管理、电机驱动、可再生能源以及家电等多个领域。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12