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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4A60DA-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4A60DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4A60DA-VB MOSFET 产品简介:
K4A60DA-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于承受高达 650V 的漏极到源极电压(VDS)。该器件具有 ±30V 的栅极到源极电压(VGS),并且阈值电压(Vth)为 3.5V,使其在相对较低的电压条件下即可导通。K4A60DA-VB 的导通电阻(RDS(ON))为 2560mΩ(在 VGS = 10V 时),能够支持高达 4A 的连续漏电流(ID)。该 MOSFET 采用平面技术(Plannar),适合用于各种需要高电压和电流控制的电路设计。

### 详细参数说明:
1. **封装:** TO220F – 提供优良的散热性能,适合高功率应用。
2. **配置:** 单 N 通道 – 适用于多种开关和放大电路。
3. **VDS(漏极到源极电压):** 650V – 支持高电压应用,适合高压电源。
4. **VGS(栅极到源极电压):** ±30V – 提供稳定的栅极驱动能力。
5. **Vth(阈值电压):** 3.5V – 低阈值电压,适合低电压驱动。
6. **RDS(ON)(漏源间导通电阻):** 2560mΩ @ VGS = 10V – 适合一般负载应用。
7. **ID(连续漏电流):** 4A – 支持适度负载的电流控制。
8. **技术:** Plannar – 提供良好的电气性能和稳定性。

### 应用示例:
K4A60DA-VB MOSFET 凭借其高压和中等电流的能力,适合多个应用领域。以下是一些具体应用场景:

- **电源供应器:** 该 MOSFET 可用于开关电源(SMPS),在高压环境下高效地控制电流和电压转换,确保电源稳定性和效率。
- **工业设备:** 在各种工业自动化设备中,K4A60DA-VB 用于电机驱动和控制电路,以实现高效的电流调节和负载管理。
- **电气开关:** 在高压电气开关和继电器应用中,该器件能够可靠地切换高电压负载,确保安全性和稳定性。
- **家用电器:** K4A60DA-VB 也适用于一些家用电器的控制电路,如洗衣机和冰箱的电源管理,提供稳定的电力支持。
- **照明系统:** 在高压照明控制系统中,该 MOSFET 可用于调节灯光的开关和亮度,确保照明系统的高效运行。

综上所述,K4A60DA-VB MOSFET 以其高压承载能力和稳定的性能,在电源供应器、工业设备、电气开关、家用电器和照明系统中具有广泛的应用前景,能够有效提高系统的能效和安全性。

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