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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4A55DAA4-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4A55DAA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介 – K4A55DAA4-VB

K4A55DAA4-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用而设计,适用于各种功率转换和开关控制场合。该 MOSFET 的漏源电压 (VDS) 高达 650V,栅极电压 (VGS) 范围为 ±30V,开启阈值电压 (Vth) 为 3.5V,导通电阻 (RDS(ON)) 为 2560mΩ@VGS=10V,最大漏极电流 (ID) 为 4A。K4A55DAA4-VB 使用先进的平面技术(Plannar Technology),确保其在高温和高压环境下的可靠性,适合广泛的工业和消费类电子应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO220F  
- **配置**: 单 N 沟道  
- **漏源电压 (VDS)**: 650V  
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V  
- **开启阈值电压 (Vth)**: 3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ@VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A  
- **技术**: Plannar  
- **最大功耗 (Pd)**: 35W(视散热条件而定)  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **反向恢复时间 (trr)**: 适合中低频应用  
- **栅极电荷 (Qg)**: 中等,有助于提高开关速度  

### 应用领域及模块举例

1. **开关电源 (Switching Power Supplies)**  
  K4A55DAA4-VB 在开关电源模块中具有重要应用,适用于 AC-DC 变换器和 DC-DC 转换器。这款 MOSFET 的高电压能力和可靠性使其成为提供稳定电压输出和高效率功率转换的理想选择。

2. **电机驱动 (Motor Drives)**  
  在电机控制和驱动系统中,K4A55DAA4-VB 可用于控制直流电机和步进电机。其高电压和电流能力可以有效地驱动各种类型的电机,满足工业和消费类产品中的各种应用需求。

3. **照明控制 (Lighting Control)**  
  此 MOSFET 可以用于照明控制应用,如 LED 驱动和调光控制。K4A55DAA4-VB 的高效能确保 LED 照明系统在不同亮度下的稳定工作,适合家庭和商业照明项目。

4. **功率逆变器 (Power Inverters)**  
  K4A55DAA4-VB 在功率逆变器中也具有广泛的应用,如太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。其能够处理高电压和高功率,确保系统高效地将直流电转换为交流电。

5. **工业控制 (Industrial Control)**  
  该 MOSFET 可用于工业自动化系统,作为控制大功率负载的开关元件。它的高耐压特性使其能够在各种恶劣环境下可靠工作,适合于焊接设备、加热器控制和其他工业应用。

K4A55DAA4-VB 的高性能和可靠性使其成为电源管理和控制领域中不可或缺的组件,能够满足各种高效率和高可靠性的应用需求。

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