--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
K4A53DA4-VB 是一款采用 TO-220F 封装的单一 N 沟道 MOSFET,专为高电压和中等电流应用设计。其漏源极电压 (VDS) 高达 650V,栅源极电压 (VGS) 范围为 ±30V,开启电压 (Vth) 为 3.5V,导通电阻 RDS(ON) 在 VGS 为 10V 时为 1100mΩ,最大漏极电流 (ID) 为 7A。该器件采用 Plannar 技术,确保在高电压条件下的稳定工作,适合各种电源管理和开关应用。
### 详细参数说明:
- **封装类型**: TO-220F(增强的散热性能,适合高功率应用)
- **配置**: 单一 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar(平面)技术,适用于高压应用
- **热性能**: TO-220F 封装设计提供良好的散热性能,适合于高电压和中等电流的应用环境
### 适用领域和模块:
1. **电源转换器**:K4A53DA4-VB 在开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中非常适用,可以处理高达 650V 的电压,确保高效的能量转换和管理,适合工业和商业电源应用。
2. **电机驱动控制**:该 MOSFET 适合于各种电动机驱动应用,如 HVAC 系统和自动化设备,能够在高压下稳定工作,确保电机的高效和可靠性。
3. **电力电子设备**:K4A53DA4-VB 也广泛用于各种电力电子设备中,如逆变器和整流器,支持高电压应用,能够在电能转换过程中提供高效的性能。
4. **高压开关应用**:在高压开关和继电器控制中,K4A53DA4-VB 可以作为开关元件,确保在严苛的电压和电流条件下的稳定性和安全性。
5. **家用电器**:该器件也可以在各种家用电器中使用,如洗衣机和空调等,作为电源管理组件,帮助提升设备性能和能效。
综上所述,K4A53DA4-VB 凭借其卓越的电气性能和广泛的应用潜力,成为了多种高电压和中等电流应用中不可或缺的 MOSFET 解决方案,适用于从工业到消费电子的多个领域。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12