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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4197LS-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4197LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4197LS-VB MOSFET 产品简介:
K4197LS-VB 是一款高电压、单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高功率和高电压应用设计。该器件具有 650V 的漏极到源极电压(VDS)和 ±30V 的栅极到源极电压(VGS)容忍度,适合在高电压环境中运行。其阈值电压(Vth)为 3.5V,确保在不同工作条件下具有良好的导通性能。K4197LS-VB 的 RDS(ON) 值为 2560mΩ(在 VGS 为 10V 时),最大连续漏电流(ID)为 4A,适合用于各类电源管理和开关应用。该 MOSFET 采用平面技术(Plannar),具有良好的热性能和可靠性。

### 详细参数说明:
1. **封装:** TO220F – 适合高功率应用,提供良好的散热性能。
2. **配置:** 单 N 通道 – 可用于多种开关和放大电路。
3. **VDS(漏极到源极电压):** 650V – 支持高电压操作。
4. **VGS(栅极到源极电压):** ±30V – 提供较好的电压耐受能力。
5. **Vth(阈值电压):** 3.5V – 确保器件在低栅电压下的稳定性。
6. **RDS(ON)(漏源间导通电阻):** 2560mΩ @ VGS = 10V – 适合高功率应用,虽高但仍可接受。
7. **ID(连续漏电流):** 4A – 支持中等负载,适合多种电源应用。
8. **技术:** Plannar – 提供良好的电气性能和热性能。

### 应用示例:
K4197LS-VB MOSFET 在高电压和中等电流应用中具有广泛的应用前景。以下是一些具体应用示例:

- **开关电源(SMPS):** 由于其 650V 的高电压能力,该 MOSFET 适合用于开关电源电路,能够有效地将输入电压转换为所需的输出电压,广泛应用于消费电子和工业设备中。
- **电动机驱动:** K4197LS-VB 可以用于电动机控制电路,特别是在需要高电压和中等电流的场合,如小型电机驱动和机器人控制。
- **照明控制:** 该器件适用于高压照明控制系统,能够在高电压下可靠地开关灯具,特别是高压钠灯和金属卤化物灯等应用。
- **不间断电源(UPS):** 在 UPS 系统中,K4197LS-VB 可以作为开关器件使用,确保在电力故障时提供可靠的电源支持,保护关键设备。
- **汽车电子:** K4197LS-VB 在汽车电气系统中也有应用,例如用于电源分配和开关控制,确保车载电子设备的稳定运行。

综上所述,K4197LS-VB MOSFET 凭借其高电压、高效能和可靠性,在开关电源、电动机驱动、照明控制和汽车电子等多个领域中展现出广泛的应用潜力。

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