--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
K4110-VB 是一款采用 TO220F 封装的单N沟道MOSFET,具有高耐压特性,VDS 额定电压为650V,能够在高压应用中提供出色的性能。其栅极电压范围为 ±30V,开启电压为 3.5V,具有平面工艺技术,提供稳健的电气特性。该型号 MOSFET 的导通电阻为 1100mΩ(在 VGS=10V 时),最大电流为 7A,适合在高压和中等电流需求的电路中使用。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: 平面工艺 (Planar)
### 三、应用领域与模块举例
K4110-VB MOSFET 由于其高电压、可靠性及适度的导通电阻,适用于多种高压电路及应用模块中:
1. **电源管理系统**:该MOSFET可以应用于高压DC-DC转换器和AC-DC电源转换器中,尤其适合用于工业电源和开关电源(SMPS)中,确保有效的功率转换和保护。
2. **照明系统**:K4110-VB 可用于LED照明驱动器以及其他高压照明系统中。其650V的高压特性,使其能够承受市电或工业电源的输入电压,提供稳定的照明控制。
3. **逆变器和电机驱动器**:由于其较高的漏源极电压,该产品适合应用于工业逆变器和电机驱动器中,特别是在需要控制较高电压和中等电流的场合。
4. **电磁阀控制**:在工业设备或家电的电磁阀控制模块中,K4110-VB 的电气特性可以确保有效的开关控制,同时耐受高压,确保系统稳定性和安全性。
综上,K4110-VB MOSFET 适用于多种电力转换、照明、工业控制及家电应用中,尤其在需要耐高压、高效功率控制的场合具有优势。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12