企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

K4104-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4104-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介 – K4104-VB

K4104-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道 MOSFET,设计用于高压低功耗应用。其具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅极电压 (VGS) 范围,确保在高压操作环境下的可靠性。该 MOSFET 的导通电阻为 2560mΩ@VGS=10V,适用于低电流(最大漏极电流 4A)和中等功率转换应用。K4104-VB 采用平面 (Plannar) 技术,具有较好的电气特性和制造成本优势,常用于低功耗、高电压的应用领域。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO220F  
- **配置**: 单 N 沟道  
- **漏源电压 (VDS)**: 650V  
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V  
- **开启阈值电压 (Vth)**: 3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ@VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A  
- **技术**: 平面 (Plannar)  
- **最大功耗 (Pd)**: 35W  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **栅极电荷 (Qg)**: 较低,适合中低频率应用  
- **栅极源电流**: 峰值较低,适用于低功耗场景  

### 应用领域及模块举例

1. **电源适配器 (Power Adapters)**  
  K4104-VB 适用于电源适配器中的功率开关器件。由于其650V的耐压能力和相对较低的导通电流,该器件能够有效控制电能转换中的损耗,从而提升电源适配器的整体效率,尤其适合用于笔记本电脑、家用电器和其他便携设备的电源适配器。

2. **LED 照明驱动器 (LED Lighting Drivers)**  
  在 LED 照明驱动器中,K4104-VB 可用于控制电压转换和电流调节。其高电压能力允许在高压环境中安全运行,平面技术的低开关损耗使其适合用于低功耗 LED 驱动电路,帮助提高整体照明效率。

3. **小型开关电源 (SMPS)**  
  该 MOSFET 还可以应用于小功率开关电源中,例如台式风扇、电风扇等家用电器的电源管理。在这些应用中,K4104-VB 的高电压耐受性确保了电路能够在高压环境下稳定运行,而其较低的导通电阻适合小功率的电源模块。

4. **工业控制电路 (Industrial Control Circuits)**  
  在一些低功耗的工业控制电路中,如传感器供电和控制模块,K4104-VB 的高压特性可以确保电路在较宽的电压范围内稳定工作,同时其平面技术提供了较为稳定的功耗管理。

5. **家电电源控制模块 (Home Appliance Power Control)**  
  在家电的电源控制模块中,如电饭煲、微波炉、冰箱等设备,K4104-VB 的高压处理能力使其能够安全稳定地进行电源控制,确保家电长时间可靠运行。其低导通电流与适中的功耗管理能力使其在小型家电中表现良好。

K4104-VB 在需要高压操作但不要求大电流的场景中提供了可靠的解决方案,特别适合低功耗、高电压的电子设备和模块。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    730浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    610浏览量