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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4101LS-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4101LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:
K4101LS-VB 是一款采用 TO-220F 封装的单一 N 沟道 MOSFET,专为高电压应用而设计,具有 650V 的漏源极电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源极电压 (VGS) 承受能力。该器件的开启电压 (Vth) 为 3.5V,导通电阻 RDS(ON) 为 830mΩ @VGS=10V,最大漏极电流 (ID) 为 10A。使用 Plannar 平面型技术,适用于需要高压操作的电源控制和开关电路,具有较高的耐压和开关性能,满足严苛环境下的需求。

### 详细参数说明:
- **封装类型**: TO-220F(绝缘封装,具有更好的散热和电气隔离)
- **配置**: 单一 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Plannar(平面型)技术,具有可靠的耐压性和稳定性
- **热性能**: 通过 TO-220F 封装良好的散热和电气隔离性能,有助于增强可靠性

### 适用领域和模块:
1. **高压电源控制**:K4101LS-VB 适用于高压开关电源模块,例如工业电源和服务器电源。其高达 650V 的漏源极电压适应较高电压的电力管理需求,能够处理高压、高功率的转换与调节。
  
2. **光伏逆变器**:由于其高耐压特性,K4101LS-VB 在太阳能光伏逆变器的直流-交流转换过程中表现出色,确保高电压环境下的稳定开关控制,并帮助提升系统效率。

3. **电机驱动器和工业自动化**:在工业应用中,特别是涉及中高压电机控制的场景,如工业自动化和电动工具,K4101LS-VB 具有适应高电压电流波动的能力,同时能够在开关过程中维持较低损耗。

4. **照明系统**:对于高压 HID 灯和 LED 照明驱动器,K4101LS-VB 的 650V 耐压和高可靠性适合用于需要稳定电压的照明系统,确保安全、持久的性能表现。

5. **电动车充电桩**:在电动车高压充电站中,该 MOSFET 可以处理高电压转换,确保快速充电和高效能量传输,同时其平面技术提供了良好的耐久性和可靠性。

综上所述,K4101LS-VB 凭借其高耐压、较低导通电阻及优异的热性能,成为高压应用中不可或缺的元件,尤其在工业、能源和电力管理领域中表现突出。

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