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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K40A08K3-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K40A08K3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K40A08K3-VB 产品简介

K40A08K3-VB 是一款采用 TO220F 封装的高压单 N 通道 MOSFET,旨在满足高电压和中等电流的应用需求。该器件的最大漏极源极电压 (VDS) 高达 650V,适合在要求高耐压的电源管理系统中使用。其栅极源极电压 (VGS) 额定为 ±30V,保证了在多种驱动环境下的可靠性。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 3.5V,提供了良好的开关性能。RDS(ON) 在 VGS=10V 时为 2560mΩ,确保了较低的导通损耗。最大漏电流 (ID) 为 4A,基于 Plannar 技术,适用于广泛的应用场景。

### 详细参数说明

| 参数               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型号               | K40A08K3-VB          |
| 封装               | TO220F               |
| 配置               | 单 N 通道            |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 650V                 |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±30V                |
| 阈值电压 (Vth)    | 3.5V                 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 2560mΩ @ VGS=10V     |
| 最大漏电流 (ID)   | 4A                   |
| 技术               | Plannar              |

### 应用领域和模块示例

K40A08K3-VB MOSFET 适用于多种领域和模块,以下是一些典型应用:

1. **高压电源管理**:由于其650V的高漏极源极电压,K40A08K3-VB 非常适合用于高压电源转换器和电源适配器,能够稳定地控制电流并提高转换效率。

2. **工业控制**:该 MOSFET 可以在各种工业设备中用作开关元件,尤其是在电机驱动控制和加热元件的驱动中,保证设备在高电压条件下的可靠性和安全性。

3. **光伏逆变器**:在太阳能光伏逆变器中,K40A08K3-VB 可以用于高效地转换和管理从太阳能电池板到电网或电池的电流,确保系统在不同负载条件下的稳定工作。

4. **电动车充电站**:在电动车充电站中,该 MOSFET 可用于高压充电设备,确保充电过程的高效和安全,支持快速充电。

5. **LED驱动电路**:在大功率LED照明应用中,K40A08K3-VB 可用于驱动电源,提供稳定的电流输出,以实现高亮度和长寿命的LED照明。

综上所述,K40A08K3-VB MOSFET 由于其高压和中等电流能力,能够在多种领域和应用中提供可靠的电源解决方案,满足现代电子设备的高性能需求。

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