--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、K4098-VB 产品简介
K4098-VB 是一款高性能单 N-沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具备高达 650V 的漏源电压(VDS)和 7A 的漏极电流(ID)能力。该器件采用 Plannar 技术设计,具备适中的导通电阻(RDS(ON) 为 1100mΩ @ VGS=10V),适合于高电压应用中提供稳定的开关性能。K4098-VB 的优越特性使其在高压和中等电流的应用场景中表现出色,为多种电子设备提供可靠的解决方案。
### 二、K4098-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **通道配置**: 单通道 N-沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar
### 三、应用领域和模块示例
1. **开关电源**: K4098-VB 适用于高压开关电源应用,在电源转换中提供有效的电流控制。其高漏源电压能力使其能够应对各种输入电压条件,提高电源系统的稳定性和可靠性。
2. **电机驱动器**: 在电机驱动器中,K4098-VB 可作为开关元件实现高效控制,尤其适合用于小型直流电机或步进电机的控制系统,提供稳定的电流输出和高效能。
3. **电池管理系统 (BMS)**: K4098-VB 在电池管理系统中用于电池充放电控制。其高电压处理能力确保能够管理高压电池组的安全运行,延长电池寿命并提高充电效率。
4. **逆变器**: 该 MOSFET 适合用于逆变器应用,特别是在太阳能逆变器和电动车逆变器中,能够处理高电压和高功率,提供高效的电能转换,支持可再生能源的利用。
5. **家电控制**: 在一些高压家电中,如电热水器、空调等,K4098-VB 可以用作控制开关,以确保设备的安全性和可靠性,增强用户的使用体验。
通过在高压和中等电流应用中的可靠性和性能,K4098-VB 是现代电子设备中不可或缺的重要组件,为各种应用提供高效能解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12