--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K4089LS-VB 产品简介
K4089LS-VB是一款高压单N沟道MOSFET,具有TO220F封装,专为高效能开关和放大应用设计。其最高漏源电压(VDS)为650V,使其非常适合用于电源转换和高压驱动电路。该器件具备较低的导通电阻(RDS(ON))为680mΩ(在VGS为10V时),这使其在高电流条件下运行时具有较低的功耗和热量产生。K4089LS-VB的阈值电压(Vth)为3.5V,确保其在低电压驱动下也能有效工作,适合用于多种电源管理和电机控制应用。
### K4089LS-VB 详细参数说明
| 参数 | 说明 |
|--------------------|----------------------------------|
| **型号** | K4089LS-VB |
| **封装** | TO220F |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最高漏源电压 (VDS)** | 650V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS = 10V |
| **漏极电流 (ID)** | 12A |
| **技术** | Plannar |
### 应用领域与模块示例
1. **电源转换器**:K4089LS-VB可以用作开关元件,在高压DC-DC转换器中实现高效的能量转换,适合工业电源和可再生能源系统(如太阳能逆变器)。
2. **电机驱动**:在电机控制应用中,该MOSFET能够高效地控制电流流向,适用于各种电机驱动模块,如直流电机、步进电机和无刷电机控制器。
3. **汽车电子**:K4089LS-VB可用于汽车中的高压驱动电路,例如电动汽车的电池管理系统(BMS),确保在高电压条件下安全可靠地操作。
4. **照明控制**:在LED驱动电路中,K4089LS-VB能够高效控制LED照明的开关,确保亮度的稳定和能效的提升。
这些应用展示了K4089LS-VB在多个领域的广泛适用性,特别是在需要高压、高效率和低功耗的场景中。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12