企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

K4086-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4086-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4086-VB 产品简介

K4086-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于需要高耐压和中等电流能力的应用。该器件漏极到源极电压(VDS)为 650V,栅极到源极电压(VGS)为 ±30V,具有 3.5V 的阈值电压(Vth),在 VGS=10V 时的导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ,支持最大 12A 的电流。该器件采用平面(Plannar)技术,具有优异的开关性能和耐用性,适用于高效能电源系统、工业控制和电机驱动等高压应用场景。

### 详细参数说明

- **型号**: K4086-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极到源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极到源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **额定电流 (ID)**: 12A
- **技术**: 平面技术(Plannar)

### 适用领域和模块

K4086-VB MOSFET 因其高电压和中等电流特性,非常适合用于多种需要高效开关和耐用性的应用场景:

1. **高效开关电源 (SMPS)**: K4086-VB 非常适合用于开关模式电源(SMPS),特别是在高输入电压的电源设计中,其 650V 的高耐压使其在电网供电系统和工业电源中表现优异。平面技术可确保较低的导通损耗,提升电源转换效率。

2. **电机控制**: 在需要高压驱动的电动机控制应用中,K4086-VB 可作为开关元件使用。其高电流能力和耐压性能使其适合中小型电机的控制,如家电设备和工业控制中的电机驱动系统。

3. **工业控制**: 该 MOSFET 适用于工业控制领域,如逆变器和功率调节器。在这些模块中,K4086-VB 的高耐压和高开关速度可以提高整体效率并降低热损耗,确保稳定运行。

4. **电感负载驱动**: 对于电感负载(如继电器和电磁阀)的驱动,K4086-VB 的高电压能力使其成为高可靠性的选择。其较高的耐压可确保在瞬态高压条件下依然具有良好的开关特性和保护功能。

5. **照明系统**: 在 LED 驱动器和高压照明系统中,K4086-VB 可有效管理系统的开关需求,提供高效的功率转换。其平面设计和高压性能在商业和工业照明应用中尤为重要。

通过这些场景,K4086-VB 展现了其在高压系统中的多功能性,是许多高效能和可靠性要求下的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    730浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    610浏览量