--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介 — K3947-VB MOSFET
K3947-VB 是一款采用 TO220F 封装的单一 N-沟道功率 MOSFET,具有出色的耐压性和高可靠性,适合在高压应用中使用。该器件的漏源电压 (VDS) 达到 650V,栅源电压 (VGS) 的额定值为 ±30V。凭借其 1100mΩ 的导通电阻 (RDS(ON)),它能够支持最高 7A 的电流传输,使用传统的平面技术制造,适用于各类需要高效开关、可靠控制和散热性能的电源系统。
### 详细参数说明
| **参数** | **规格** |
|------------------|------------------------------|
| **封装类型** | TO220F |
| **极性** | 单一 N-沟道 |
| **漏源电压 (VDS)**| 650V |
| **栅源电压 (VGS)**| ±30V |
| **阈值电压 (Vth)**| 3.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS=10V |
| **漏极电流 (ID)** | 7A |
| **技术** | 平面技术 (Planar Technology) |
| **最大耗散功率 (Ptot)** | 40W |
| **漏源击穿电压 (BVDSS)** | 650V |
| **结电容 (Ciss)** | 850pF |
| **反向恢复时间 (trr)** | 200ns |
| **工作温度范围** | -55°C 至 150°C |
### 应用领域与模块说明
**1. 电源转换器:**
K3947-VB 特别适用于高压电源转换器,如开关电源 (SMPS) 中的功率开关器件。它能够有效地控制高压电流的传输并实现高效的电力转换,适用于 AC-DC 转换模块和逆变器。
**2. 工业驱动控制:**
在工业应用中,该 MOSFET 可以应用于高压马达驱动、变频器以及其他需要高电流控制的模块中。其 650V 的耐压性使其能够在恶劣的工业环境中提供稳定的高压控制能力。
**3. LED 驱动电路:**
由于其高电压特性,K3947-VB 还适用于高功率 LED 驱动电路中,特别是在需要高效能量转换和高功率密度的 LED 照明系统中。
**4. 电池管理与充电器:**
该器件也可用于电动工具、电动汽车充电器等需要高效电源管理的应用中。其高电压处理能力使其成为大功率电池管理系统中控制电流的理想选择。
**5. 逆变器和电能储存系统:**
对于需要高压、稳定性能的电能储存系统 (ESS) 和太阳能逆变器,K3947-VB 的高电流承载能力和低导通电阻非常适合确保系统的高效和可靠运行。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12