--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K3691-01MR-VB是一款高压N通道MOSFET,采用TO220F封装,适用于650V电压应用。凭借其稳定的性能和可靠的导通特性,该MOSFET在高电压环境下表现优异,非常适合各种电力电子系统的使用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 2560mΩ(VGS=10V)
- **漏电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Plannar
### 应用领域与模块
K3691-01MR-VB适用于高压电源管理、电动机驱动和开关电源等领域。由于其高耐压和适中的导通电阻,这款MOSFET特别适合用于逆变器和高压DC-DC转换器。此外,其可靠的性能能够满足工业设备和消费电子产品的多样化需求。
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