### 产品简介
K3567-VB是一款高压单N通道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压应用设计。其650V的漏极-源极电压和相对较低的电流承载能力，使其在高电压环境下提供可靠的性能，适用于多种工业和电源管理应用。
### 详细参数说明
- **型号**: K3567-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N通道
- **漏极-源极电压（VDS）**: 650V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 2560mΩ@VGS=10V
- **连续漏电流（ID）**: 4A
- **技术**: Plannar
### 应用领域
K3567-VB广泛应用于高压电源、开关电源和逆变器。其650V的高电压能力特别适合用于电力电子设备，提供稳定的开关性能，确保在高压环境下的安全运行。此外，该产品也可用于工业设备中的高压开关控制，确保可靠的电流管理和高效的能量转换。
