--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K3562-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计。其最大漏源电压为 650V,能够承载高达 7A 的电流,非常适合于电源管理和开关电路中,特别是在要求高电压的场合。
### 详细参数说明
- **型号**: K3562-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 1100mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 7A
- **技术**: Plannar
### 适用领域和模块
K3562-VB 广泛应用于高压电源转换器、逆变器及工业电气设备。在电源管理系统中,该 MOSFET 可作为高压开关元件,有效控制电力流动,减少能量损耗。此外,它在电动汽车充电系统和可再生能源系统中同样适用,为这些高功率应用提供稳定和高效的性能。
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