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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K3097LS-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K3097LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K3097LS-VB产品简介

K3097LS-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装设计,专为高效能和高可靠性应用而研发。该器件的漏源电压(VDS)高达650V,适合各种高电压电源和开关应用。其栅源电压(VGS)可达到±30V,具备良好的驱动灵活性。栅阈值电压(Vth)为3.5V,确保在低控制电压下能够可靠地开关。K3097LS-VB的导通电阻(RDS(ON)为680mΩ@VGS=10V)使得其在导通时具有较低的功耗和发热,适用于对热管理要求严格的应用场合。该MOSFET采用Plannar技术,能在不同工作环境下保持稳定性,广泛应用于电源管理、工业控制和电动汽车等多个领域。

### 二、K3097LS-VB详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **沟道配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **栅阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:12A
- **技术**:Plannar
- **工作温度范围**:-55°C至150°C
- **开关速度**:适合快速开关应用
- **功耗**:优化设计以降低功耗,提升能效

### 三、K3097LS-VB适用领域和模块

K3097LS-VB因其优异的高电压承受能力和低导通电阻,广泛应用于多个领域。以下是一些典型的应用场景:

1. **高压电源转换**:在各种高压DC-DC转换器中,K3097LS-VB作为开关元件,能够实现高效能的电能转换,尤其适用于电力系统和电信设备的高压电源管理。

2. **电动汽车**:该MOSFET在电动汽车的电池管理系统中非常有效,能承受高电压和大电流,确保电动汽车的高效能和安全性,适合用于电动机驱动和能量回收系统。

3. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中,K3097LS-VB可以作为逆变器中的开关元件,以提高电能转换效率,并稳定电流输出,适用于各种光伏应用。

4. **LED驱动电源**:在高功率LED照明应用中,该器件可用于LED驱动电源,以其低功耗和高效率驱动LED灯具,降低能耗。

5. **高频开关电源**:K3097LS-VB适合用于高频开关电源,如适配器和电源供应器,因其低导通电阻和快速开关特性,有助于提升整体系统效率和降低发热。

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