--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介(K3049-VB)
K3049-VB是一款高电压N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压和中等功率应用设计。该器件的漏源电压(VDS)高达650V,栅源电压(VGS)范围为±30V,适合在严苛的电气环境中工作。K3049-VB采用了平面(Plannar)技术,具有较高的可靠性和良好的导电性能。在10V的栅电压下,其导通电阻(RDS(ON))为830mΩ,能够有效降低能量损耗并提升系统的效率。最大漏极电流可达到10A,广泛应用于各种高压电子设备和系统中。
### 详细参数说明(K3049-VB)
- **封装类型**:TO220F
- **通道配置**:单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:830mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:10A
- **技术类型**:平面(Plannar)
- **最大功率耗散**:根据TO220F封装设计,具备优良的散热性能,适合高功率应用。
### 应用领域及模块示例
1. **高压电源转换器**:
K3049-VB广泛应用于高压电源转换器中,作为开关元件,其高漏源电压特性使其能够在AC-DC和DC-DC转换器中高效工作,从而实现能量的高效转换,降低损耗。
2. **工业控制系统**:
在工业控制领域,K3049-VB可用于高压电动机驱动和控制电路,具备处理高电流和高电压的能力,非常适合用于各种自动化设备和机械系统中,确保其稳定运行。
3. **太阳能逆变器**:
K3049-VB在太阳能逆变器中作为功率开关元件,能够承受高电压和电流,确保太阳能系统的高效能和稳定性,有助于提升可再生能源系统的整体性能。
4. **家用电器**:
在家用电器中,K3049-VB可以应用于高压电源管理电路,例如洗衣机、空调等设备,提供可靠的电源控制,提升设备的能效和安全性。其高电压耐受能力使其适合在复杂的家电应用中发挥重要作用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12