--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3046-VB 产品简介
K3046-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压和中等电流应用设计。其漏源电压 (VDS) 高达 650V,适合用于高压电源和开关电路。栅源电压 (VGS) 可达到 ±30V,提供灵活的驱动选项。该器件的阈值电压 (Vth) 为 3.5V,适合多种控制电路应用。K3046-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 时为 680mΩ,确保在额定电流下具有良好的导电性能,最大持续电流 (ID) 为 12A,适合用于各种高功率电路。其采用的 Plannar 技术确保了器件在高压环境中的稳定性和可靠性。
### K3046-VB 详细参数说明
| 参数 | 说明 |
|---------------------|------------------------|
| 型号 | K3046-VB |
| 封装 | TO220F |
| 配置 | 单个 N 沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 650V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 680mΩ @ VGS=10V |
| 最大持续电流 (ID) | 12A |
| 技术 | Plannar |
### 应用领域和模块示例
1. **电源转换器**:K3046-VB 非常适合用于高压开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,能够在高电压和高效能下工作,提升系统的整体性能。
2. **工业电气控制**:该 MOSFET 可用于工业设备中的电气控制系统,例如电机驱动和自动化控制,以处理高电压和中等电流的负载,确保系统的稳定运行。
3. **电池充电器**:K3046-VB 在高电压电池充电器中表现优异,能够有效地控制充电过程,确保电池的安全和高效充电,尤其在需要快速充电的应用中。
4. **LED照明驱动**:该器件也可用于LED照明系统,提供高效的开关控制,确保LED的亮度和能效,尤其是在需要高压驱动的照明应用中。
综上所述,K3046-VB 是一款性能卓越的高电压 MOSFET,能够满足现代电力电子领域对高效能和高可靠性的需求,适用于多种应用场景。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12