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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2972-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2972-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K2972-VB 产品简介

K2972-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压和高功率应用设计。该器件的漏源电压 (VDS) 可达到 650V,栅源电压 (VGS) 范围为 ±30V,适合于要求高电压和电流的应用场合。阈值电压 (Vth) 为 3.5V,使其能够在相对较低的栅电压下启动,有助于降低开关损耗。K2972-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 10V 时为 830mΩ,这一较低的导通电阻有助于降低功率损耗和热量产生,从而提高设备的工作效率和可靠性。最大持续电流 (ID) 为 10A,结合其平面技术 (Plannar),确保了该 MOSFET 在高温和高压条件下的稳定性能,广泛应用于电源管理和电动机控制等领域。

### K2972-VB 详细参数说明

| 参数                  | 说明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型号                  | K2972-VB              |
| 封装                  | TO220F                |
| 配置                  | 单个 N 沟道              |
| 漏源电压 (VDS)       | 650V                   |
| 栅源电压 (VGS)       | ±30V                   |
| 阈值电压 (Vth)       | 3.5V                   |
| 导通电阻 (RDS(ON))    | 830mΩ @ VGS=10V        |
| 最大持续电流 (ID)    | 10A                    |
| 技术                  | Plannar                |

### 应用领域和模块示例

1. **高压开关电源**:K2972-VB 适用于高压开关电源设计中,能够承受高达 650V 的漏源电压,配合其较低的导通电阻,确保高效的电力转换,降低能耗,并提高系统的稳定性。

2. **电动机驱动**:该 MOSFET 可用于电动机控制系统,特别是高压电动机的驱动。其高电流处理能力使其适合于需要精确控制的电动机应用,如工业自动化和机器人技术。

3. **功率逆变器**:在可再生能源应用中,如太阳能逆变器,K2972-VB 能够有效转换和控制电能,确保在高电压条件下的可靠运行,提高能源转换的效率。

4. **充电器和电池管理系统**:K2972-VB 在电池充电和管理系统中发挥重要作用,能够高效控制电流和电压,确保电池的安全充电和放电,同时延长其使用寿命。

综上所述,K2972-VB 是一款在高压和高功率应用中表现出色的 MOSFET,凭借其稳定的性能和低功率损耗,能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。

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