--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:K2872-VB MOSFET
K2872-VB 是一款采用TO220F封装的单N沟道功率MOSFET,具有高耐压能力和高效率设计,适用于各种高压应用场景。其漏源电压(VDS)最大值为650V,漏极电流(ID)为7A,具有3.5V的开启阈值电压(Vth)。该器件的导通电阻(RDS(ON))在栅极电压为10V时为1100mΩ,适合用于高压电源、转换器以及其他需要高效能量传输的应用。K2872-VB 采用平面技术(Plannar),具备优异的热性能和可靠的电气特性。
### 参数说明:
- **封装**: TO220F
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 650V
- **栅源电压(VGS)**: ±30V
- **开启阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 1100mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 7A
- **技术**: 平面工艺(Plannar Technology)
- **最大耗散功率**: 60W(根据散热条件)
### 应用领域和模块:
1. **高压开关电源**:
K2872-VB 由于其高耐压和中等电流能力,适合用于高压开关电源和不间断电源(UPS)系统。这种器件在这些应用中能够提供稳定的功率转换和良好的热性能,有效减少能量损耗。
2. **电机驱动器**:
K2872-VB 在工业电机驱动器中也能够发挥作用,特别是那些需要处理高压输入和中等电流输出的应用。其较低的导通电阻和高耐压能够提高设备的工作效率和可靠性。
3. **家电和工业设备**:
该MOSFET非常适用于高压家用电器和工业设备中的电源模块,如空调、冰箱和其他需要稳定电源控制的设备。K2872-VB 的平面工艺使其具备较好的热性能,能够满足这些应用的长期可靠性要求。
4. **照明和LED驱动器**:
在需要高效电力控制的照明系统中,K2872-VB 也能应用如LED驱动器和照明转换器。其较高的工作电压和良好的热管理特性,使其适合长期连续工作的场合。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12