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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2777-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2777-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K2777-VB 产品简介

K2777-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为中等电流和高电压应用设计。该器件的漏源电压 (VDS) 可达到 650V,能够在严格的电压条件下稳定工作,适用于多种高电压环境。K2777-VB 的栅源电压 (VGS) 为 ±30V,阈值电压 (Vth) 为 3.5V,确保其在各种工作条件下快速导通。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 1100mΩ @ VGS=10V,使其在导通状态下保持较低的功率损耗。此外,最大持续电流 (ID) 为 7A,采用平面技术(Plannar)制造,具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足不同应用的需求。

### K2777-VB 详细参数说明

| 参数                  | 说明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型号                  | K2777-VB               |
| 封装                  | TO220F                 |
| 配置                  | 单个 N 沟道              |
| 漏源电压 (VDS)       | 650V                   |
| 栅源电压 (VGS)       | ±30V                   |
| 阈值电压 (Vth)       | 3.5V                   |
| 导通电阻 (RDS(ON))    | 1100mΩ @ VGS=10V      |
| 最大持续电流 (ID)    | 7A                     |
| 技术                  | 平面技术                |

### 应用领域和模块示例

1. **高压开关电源**:K2777-VB 广泛应用于高压开关电源(SMPS),特别是在需要650V漏电压的电源转换模块中,能够有效提高电源转换效率,降低导通损耗。

2. **电动汽车电力系统**:在电动汽车的驱动系统中,K2777-VB 可用于电机驱动和控制模块,支持高电压和中等电流的操作,确保电动汽车在加速和爬坡时的动力输出。

3. **工业自动化设备**:该 MOSFET 也适用于工业控制系统中,如电动机驱动和高压设备控制,提供高效的功率开关解决方案,满足各种工业应用的自动化需求。

4. **逆变器和可再生能源系统**:在光伏和风能逆变器中,K2777-VB 能够高效地将直流电转换为交流电,支持可再生能源系统的集成与管理,提高系统的整体性能。

凭借其优越的电气性能和高可靠性,K2777-VB 成为高电压应用中的理想选择,适用于多种领域和模块。

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