企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

K2645-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2645-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K2645-VB MOSFET 产品简介

K2645-VB是一款高压单N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压和中等电流应用设计。该器件的**漏极到源极电压(VDS)**高达**650V**,使其在高电压电路中具有出色的性能,适用于要求高电压耐受的应用。其**导通电阻(RDS(ON))**在**VGS=10V**时为**1100mΩ**,提供了良好的导通性能,适合高效的开关应用。K2645-VB的**阈值电压(Vth)**为**3.5V**,确保其能在快速开关条件下高效运行,且最大**漏极电流(ID)**为**7A**,满足多种中等功率应用的需求。采用**Plannar技术**制造,使得K2645-VB在不同的工作环境中具有良好的稳定性和可靠性。

### 详细参数说明

1. **封装**: TO220F  
  该封装形式提供了良好的散热性能,便于PCB设计与安装。

2. **配置**: 单N通道  
  单N通道的设计使得K2645-VB在开关和放大应用中表现优异。

3. **VDS(漏极到源极电压)**: 650V  
  高达650V的漏极电压能力使其能够在高电压应用中有效运行,广泛应用于电力电子设备中。

4. **VGS(栅极到源极电压)**: ±30V  
  提供灵活的栅极驱动电压,适用于各种电路设计需求。

5. **Vth(阈值电压)**: 3.5V  
  较低的阈值电压保证了快速的开关操作,适合多种开关应用。

6. **RDS(ON)(导通电阻)**:  
  - **1100mΩ @ VGS=10V**  
  在高电流条件下,该导通电阻提供了合理的功耗管理,有助于提高电源效率。

7. **ID(漏极电流)**: 7A  
  最大漏极电流能力为7A,适合多种中等功率应用。

8. **技术**: Plannar  
  Plannar技术的设计确保了MOSFET的稳定性和高压性能,适用于各种电源管理应用。

### 应用领域和模块示例

1. **高压电源供应**  
  K2645-VB广泛用于**高压电源供应系统**,有效管理和转换高电压电源,适合工业电源、输配电系统和大功率电源应用。

2. **电机驱动**  
  该MOSFET适用于**电机驱动系统**,能在电动机启动和运行时提供稳定控制,广泛应用于高压直流电机和交流电机中,确保电机的可靠性与效率。

3. **变频器**  
  K2645-VB在**变频器**应用中表现良好,能够处理高电压和高频信号,适合空调、泵及其他需要变频驱动的设备,提高系统的能源利用效率。

4. **电源开关**  
  该器件可用作各类**电源开关**,如电力继电器和开关电源,能够安全切换高电压负载,确保设备的稳定运行和性能。

5. **电源管理模块**  
  K2645-VB适用于**电源管理模块**,用于高压电源的调节与监控,适合各种电力电子设备,为高效的电源管理提供可靠解决方案。

综上所述,K2645-VB以其高电压能力和良好的导通性能,能够满足高压电源、电机驱动及其他工业应用的需求,为多种电力解决方案提供可靠支持。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    730浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    610浏览量