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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2625LS-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2625LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K2625LS-VB MOSFET 产品简介
K2625LS-VB 是一款高电压单通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装设计,具有良好的热性能和电气特性。该器件能够承受高达 650V 的漏源极电压(VDS),适用于多种高压电源和工业应用。其栅源极电压(VGS)为 ±30V,开启电压(Vth)为 3.5V,确保快速开关操作。在 VGS 为 10V 时,K2625LS-VB 的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ,最大漏极电流(ID)为 7A。此 MOSFET 采用平面工艺(Plannar)技术,确保了其高效能和可靠性,是高温和高电流环境中的理想选择。

### 二、K2625LS-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**:TO220F
- **配置**:单通道 N 型 MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**:650V
- **栅源极电压(VGS)**:±30V
- **开启电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 时:1100mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:7A
- **技术**:平面技术(Plannar)
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **输入电容(Ciss)**:约 1200pF(典型值)
- **最大功耗**:约 2.5W(典型值)
- **封装引脚**:
 - 引脚1:源极(Source)
 - 引脚2:漏极(Drain)
 - 引脚3:栅极(Gate)

### 三、K2625LS-VB 应用领域与模块示例

1. **高压电源转换器**:K2625LS-VB 在高压电源管理系统中表现优异,特别是在 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换模块中。其高耐压能力和低导通电阻能够有效提升电源的转换效率,降低能量损耗,并确保系统的稳定运行。

2. **电动机驱动器**:该 MOSFET 在电动机控制应用中也非常适合,尤其是在无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动系统中。凭借其高漏极电流处理能力,K2625LS-VB 可确保电动机在各种负载条件下平稳运行。

3. **焊接与电源管理设备**:K2625LS-VB 常用于焊接设备,如点焊机和电弧焊机。这款 MOSFET 的高电流承载能力和良好的热性能使其能够在高功率应用中可靠工作,确保焊接过程的高质量与一致性。

4. **工业自动化系统**:在工业自动化控制系统中,K2625LS-VB 可用作开关控制元件。这使其在机器人、自动化装配线和其他控制系统中起到关键作用,能够快速响应控制信号,保证设备的高效性和可靠性。

综上所述,K2625LS-VB 是一款高效、可靠的 N 型 MOSFET,适合用于多种高压和高功率应用,能够满足严苛工作环境的要求。

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