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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2618LS-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2618LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**一、产品简介:**

K2618LS-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压应用设计。该器件的最大漏源电压 (VDS) 可达 650V,具有良好的栅源电压 (VGS) 范围,能够承受 ±30V 的栅压,确保在不同工作条件下的稳定性。开启电压 (Vth) 为 3.5V,在 VGS 为 10V 时,导通电阻 (RDS(ON)) 为 1100mΩ,最大漏极电流 (ID) 为 7A。K2618LS-VB 采用平面技术(Plannar),使其在高压和高功率环境中表现出优异的性能,适合用于各种电源管理和驱动应用。

**二、详细参数说明:**

- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术类型**: 平面技术(Plannar)
- **最大功耗**: 70W(在适当的散热条件下)
- **工作温度范围**: -55°C ~ 150°C
- **最大脉冲漏极电流 (IDM)**: 25A
- **热阻**: 5°C/W(结到壳)

**三、适用领域和模块举例:**

1. **电源转换器**: K2618LS-VB 可广泛应用于高压电源转换器中,能够有效管理和转换高达 650V 的电压,确保稳定的输出,适合用于电力电子设备及工业电源模块。

2. **逆变器**: 在光伏和风能发电系统中,该 MOSFET 是逆变器的重要组成部分,能够将直流电转换为交流电,以高效利用可再生能源,特别适合高电压的逆变应用。

3. **电机驱动**: K2618LS-VB 也可用于电机控制和驱动系统中,能够处理高电压下的电流,确保在电动车辆和工业自动化设备中实现高效能和高可靠性。

4. **电力管理系统**: 该器件在电力管理和调节系统中也有广泛应用,能够满足不同负载情况下的电压和电流需求,适合用于高压设备和电力分配系统。

5. **开关电源**: K2618LS-VB 可作为高压开关电源的开关元件,提供高效的能量转换和管理,广泛应用于消费电子、计算机电源和工业设备中。

通过其高电压承载能力和可靠性,K2618LS-VB 满足现代电源管理和高压应用的需求,广泛适用于各类电气设备和系统。

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