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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2188-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2188-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K2188-VB MOSFET 产品简介
K2188-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压电源管理和开关应用设计。该器件的最大漏源极电压(VDS)为650V,能够在高电压环境下保持卓越的稳定性和可靠性。K2188-VB 的栅源极电压(VGS)范围为±30V,使其能够适应多种工作条件。其开启电压(Vth)为3.5V,确保在较低的栅极电压下即可导通。此外,在 VGS 为10V 时,导通电阻(RDS(ON))仅为830mΩ,这意味着在操作过程中具有良好的电流传导能力。该 MOSFET 最大漏极电流(ID)为10A,适合各种高功率应用,能够有效提升设备的能效和性能。

### 二、K2188-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**:TO220F
- **配置**:单通道 N 型 MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**:650V
- **栅源极电压(VGS)**:±30V
- **开启电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 时:830mΩ
- **漏极电流(ID)**:10A
- **技术**:Plannar
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:可达 30W(典型)
- **输入电容(Ciss)**:约1100pF(典型)
- **封装引脚**:
 - 引脚1:源极(Source)
 - 引脚2:漏极(Drain)
 - 引脚3:栅极(Gate)

### 三、K2188-VB 应用领域与模块示例
1. **高压电源管理**:K2188-VB 非常适合用于高压电源管理系统,例如不间断电源(UPS)和电力转换器。这些应用需要高压组件能够稳定工作,以确保电源的可靠性和安全性。

2. **电机控制**:在工业电机驱动中,K2188-VB 可以作为开关元件用于高功率电机控制,适用于空调、泵和风扇等设备,确保电机的有效运行和节能。

3. **LED驱动器**:在大功率LED照明系统中,K2188-VB 可用于驱动LED灯条或高亮度灯泡,通过稳定的电流控制实现高效能和长寿命的照明解决方案。

4. **电动汽车充电装置**:K2188-VB 适用于电动汽车充电设备,能够处理高电压和大电流,从而保证电池充电过程的安全和高效,适合家庭和公共充电站的应用。

综上所述,K2188-VB 的高压和高功率特性使其成为多个领域和模块中的理想选择,满足现代电力电子设备对性能和可靠性的需求。

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