企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

K2044-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2044-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K2044-VB MOSFET 产品简介:

K2044-VB 是一款高压 **单N沟道** MOSFET,专为各种功率开关应用而设计。该组件采用 **TO220F** 封装,提供增强的热性能和坚固的机械设计。其 **漏源电压 (VDS)** 可达 650V,适合高压操作。门源电压 (VGS) 额定为 ±30V,使其能够在电压波动的环境中保持稳定。MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 3.5V,确保可靠的开关行为。在 VGS=10V 时,其 **导通电阻 (RDS(ON))** 为 2560mΩ,能够处理高达 4A 的电流。其采用的 **平面技术** 提供了稳定的性能和高效的开关能力。

---

### 详细参数说明:

- **型号**:K2044-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **门源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:4A
- **技术**:平面
- **工作温度**:根据设计通常在广泛的温度范围内额定。

---

### 应用领域和模块示例:

K2044-VB 特别适用于高压开关应用和功率转换模块,因其 650V 的 VDS 额定值。以下是一些应用示例:

1. **开关电源**:由于高压能力,该 MOSFET 非常适合需要在高电压水平上可靠开关的电源应用,通常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,在这些场合能有效提升能量效率并降低热量。

2. **电机驱动和逆变器**:在工业环境中,该 MOSFET 可用于电机控制电路,尤其适用于控制在高压市电下运行的小型电机,如 HVAC 系统或家用电器。

3. **照明镇流器**:K2044-VB 可用于高压照明电路,如荧光灯和高强度气体放电灯镇流器,作为控制光强度和电源效率的开关组件。

4. **电池管理系统 (BMS)**:由于其坚固的 VDS 额定值,该 MOSFET 也可在可再生能源储能解决方案的电池管理系统中使用,适合用于充放电控制。

凭借高漏源电压和可靠的平面技术设计,该 MOSFET 是工业、商业和能源领域中高压低电流应用的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1245浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    941浏览量