--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K1863-VB 产品简介
K1863-VB 是一款高电压单N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为650V的应用环境设计。该器件的最大漏电流(ID)为4A,适合在多种中等功率电子设备中使用。其阈值电压(Vth)为3.5V,确保在相对较低的栅电压下即可实现导通。此外,K1863-VB 的导通电阻(RDS(ON))为2560mΩ@VGS=10V,尽管其导通电阻相对较高,但在高压应用中依然能够有效地控制功耗和提升效率。采用平面(Plannar)技术,使得该器件具备较好的热性能和稳定性,广泛适用于多种工业和消费类电子产品中。
### K1863-VB 详细参数说明
- **型号**:K1863-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单N通道
- **额定漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:4A
- **技术**:平面(Plannar)
### 应用领域及模块举例
K1863-VB 的设计使其在多个领域和模块中得以应用,以下是一些具体示例:
1. **高压开关电源**:K1863-VB 以其650V的额定电压,非常适合用于开关电源中的高压开关组件,能够处理电源输入端的高压,提高系统的稳定性和安全性。
2. **电机驱动**:在中等功率的电机控制系统中,该MOSFET 可用于H桥电路,提供高效的电流控制,适合于小型家用电器或自动化设备中的电机驱动应用。
3. **LED驱动器**:K1863-VB 可应用于LED驱动电路中,支持高电压操作,确保在多种照明环境下稳定工作,适合工业和商业照明系统。
4. **功率放大器**:在音频功率放大器和RF放大器电路中,K1863-VB 可以用于开关和控制信号的高压部分,确保信号的稳定传输。
5. **不间断电源(UPS)**:该器件可用于UPS系统中的电源转换模块,以承受高电压并提供稳定的输出,确保在停电时为负载提供可靠的电源。
综上所述,K1863-VB 是一款适合650V高电压和中等电流应用的MOSFET,广泛应用于高压开关电源、电机驱动、LED驱动器、功率放大器以及不间断电源等多个领域,能够满足现代电子设备对高性能和可靠性的要求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12