--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**JCS5N60FB-O-F-N-B-VB** 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高效能和高稳定性的开关应用。该 MOSFET 具有650V 的高耐压能力和最大漏源电压 VGS 为 ±30V 的特性,适用于高压电源和电机驱动等领域。其 RDS(ON) 为 2560mΩ,能够在低电流情况下提供优秀的导通性能,使其在功率转换和能量管理中表现出色。
### 详细参数说明
- **型号**: JCS5N60FB-O-F-N-B-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单一 N 通道
- **VDS(漏源电压)**: 650V
- **VGS(栅源电压)**: ±30V
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 2560mΩ (在 VGS = 10V 时)
- **ID(漏电流)**: 4A
- **技术**: 平面技术(Planar)
### 应用领域及模块示例
1. **开关电源(SMPS)**: JCS5N60FB-O-F-N-B-VB 由于其高耐压特性,适用于开关电源转换器,能够有效地管理从高电压到低电压的能量转换。
2. **电机驱动器**: 该 MOSFET 可用于驱动电机,提供稳定的电源和高效的开关控制,适合于各种电动工具和家用电器的应用。
3. **工业自动化**: 在工业控制系统中,JCS5N60FB-O-F-N-B-VB 可用于高电压控制,确保设备在恶劣环境中的安全可靠运行。
4. **LED 驱动电路**: 在 LED 照明系统中,利用其低 RDS(ON) 特性,可以提高效率,减少热损耗,延长 LED 的使用寿命。
5. **汽车电子**: 由于其可靠性和耐压能力,该 MOSFET 可应用于汽车电子设备,如电动助力转向和电动制动系统中。
通过这些应用领域的例子,可以看出 JCS5N60FB-O-F-N-B-VB 在现代电源管理和控制系统中的重要性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12