--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRFIBC30GPBF-VB 产品简介
**IRFIBC30GPBF-VB** 是一款高电压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装。该 MOSFET 采用 Plannar 技术制造,能够在高达 650V 的漏极-源极电压下稳定工作。其最大连续漏极电流为 4A,适合用于需要高电压开关的中低电流应用。IRFIBC30GPBF-VB 提供了较高的导通电阻(2560mΩ @ VGS=10V),在高电压环境中保证可靠的开关性能,非常适合需要高电压承受能力的电路。
### 详细参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:4A
- **技术**:Plannar
### 适用领域和模块示例
1. **高电压开关**:
IRFIBC30GPBF-VB 由于其高达 650V 的漏极-源极电压,非常适合用于高电压开关应用。比如在高电压直流电源的开关电路中,它能够稳定地处理电压波动和负载开关。尽管其导通电阻较高,但在高电压环境下仍能提供足够的开关性能。
2. **电源管理**:
在电源管理系统中,IRFIBC30GPBF-VB 可以用作高电压电源保护或电流控制开关。它的高电压承受能力允许在电源系统中实现安全断开,防止过电压对电源系统造成损害。在电源过压保护电路中,它能够确保系统的安全性和稳定性。
3. **电机控制**:
IRFIBC30GPBF-VB 也适用于高电压电机控制应用,如在大功率电动工具和工业电机驱动系统中。尽管其导通电阻较高,但其高电压能力使其适合用于高电压环境中的开关控制,确保电机运行中的可靠性。
4. **高压逆变器**:
在高压逆变器或变频器应用中,IRFIBC30GPBF-VB 的高电压承受能力使其能够处理高电压转换任务。它可以用于高压直流到交流逆变的场合,尽管其导通电阻较高,但其稳定的开关性能在这些高电压应用中仍然是一个可靠的选择。
IRFIBC30GPBF-VB 以其高电压承受能力和可靠的开关性能,适用于高电压开关、电源管理、电机控制和高压逆变器等领域,提供了稳定的开关解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12