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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFIBC30GPBF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFIBC30GPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRFIBC30GPBF-VB 产品简介

**IRFIBC30GPBF-VB** 是一款高电压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装。该 MOSFET 采用 Plannar 技术制造,能够在高达 650V 的漏极-源极电压下稳定工作。其最大连续漏极电流为 4A,适合用于需要高电压开关的中低电流应用。IRFIBC30GPBF-VB 提供了较高的导通电阻(2560mΩ @ VGS=10V),在高电压环境中保证可靠的开关性能,非常适合需要高电压承受能力的电路。

### 详细参数说明

- **封装**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:4A
- **技术**:Plannar

### 适用领域和模块示例

1. **高电压开关**:
  IRFIBC30GPBF-VB 由于其高达 650V 的漏极-源极电压,非常适合用于高电压开关应用。比如在高电压直流电源的开关电路中,它能够稳定地处理电压波动和负载开关。尽管其导通电阻较高,但在高电压环境下仍能提供足够的开关性能。

2. **电源管理**:
  在电源管理系统中,IRFIBC30GPBF-VB 可以用作高电压电源保护或电流控制开关。它的高电压承受能力允许在电源系统中实现安全断开,防止过电压对电源系统造成损害。在电源过压保护电路中,它能够确保系统的安全性和稳定性。

3. **电机控制**:
  IRFIBC30GPBF-VB 也适用于高电压电机控制应用,如在大功率电动工具和工业电机驱动系统中。尽管其导通电阻较高,但其高电压能力使其适合用于高电压环境中的开关控制,确保电机运行中的可靠性。

4. **高压逆变器**:
  在高压逆变器或变频器应用中,IRFIBC30GPBF-VB 的高电压承受能力使其能够处理高电压转换任务。它可以用于高压直流到交流逆变的场合,尽管其导通电阻较高,但其稳定的开关性能在这些高电压应用中仍然是一个可靠的选择。

IRFIBC30GPBF-VB 以其高电压承受能力和可靠的开关性能,适用于高电压开关、电源管理、电机控制和高压逆变器等领域,提供了稳定的开关解决方案。

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