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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFI720GPBF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFI720GPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRFI720GPBF-VB MOSFET 产品简介:

**IRFI720GPBF-VB** 是一款高电压、高电流处理能力的单 N 通道 MOSFET,采用 **TO220F** 封装,适合高功率和高电压应用。其漏源电压为 650V,栅源电压范围为 ±30V,阈值电压为 3.5V。该 MOSFET 使用 **Plannar** 技术,具有 2560mΩ 的导通电阻和 4A 的最大漏电流,非常适合在需要处理高电压和中等电流的场合使用。

### 详细参数说明:

- **封装**:TO220F  
 TO220F 封装提供了优良的散热能力和机械稳定性,适用于高功率应用,能够承受较高的功率负荷。

- **配置**:单 N 通道  
 N 通道设计适用于多种电源开关和放大应用,能够有效地控制电流流动。

- **漏源电压 (VDS)**:650V  
 高漏源电压能力使该 MOSFET 能够在高电压负载下工作,适用于需要高耐压的电路设计。

- **栅源电压 (VGS)**:±30V  
 支持宽范围的栅源电压,能够适应多种控制信号的需求。

- **阈值电压 (Vth)**:3.5V  
 适中的阈值电压使 MOSFET 在中等栅极电压下能够开启,确保高效的开关性能。

- **开态电阻 (RDS(ON))**:  
 - 2560mΩ @ VGS = 10V  
 较高的导通电阻适用于电流要求不高的高电压应用,尽管其电阻值较大,但能够在高电压场合稳定工作。

- **漏电流 (ID)**:4A  
 最大漏电流为 4A,适用于中等电流负载的应用。

- **技术**:Plannar  
 **Plannar** 技术用于制造具有高电压耐受能力的 MOSFET,适合处理高电压场景的应用。

### 应用领域和模块举例:

1. **高压电源转换器 (High-Voltage Power Converters)**:  
  **IRFI720GPBF-VB** 适用于高压电源转换器的设计,如 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。其高电压处理能力确保在高电压环境下稳定工作,同时支持较宽的栅极电压范围,使得控制电路更加灵活。

2. **电机驱动系统 (Motor Drives)**:  
  在高电压电机驱动系统中,特别是高电压直流电机或步进电机的驱动,**IRFI720GPBF-VB** 可以用作开关元件,以控制电机的启动、停止及速度调节。其高电压能力确保电机系统的稳定性。

3. **电源保护电路 (Power Protection Circuits)**:  
  该 MOSFET 可用于电源保护电路中,如过电压保护或过电流保护电路。其高漏源电压使其能够承受较高的瞬时电压,并在保护电路中提供可靠的开关控制。

4. **高压继电器替代品 (High-Voltage Relay Substitutes)**:  
  在需要高电压隔离和开关控制的应用中,**IRFI720GPBF-VB** 可作为传统高压继电器的替代品,提供更快速的开关速度和更长的使用寿命。

5. **电气系统的开关控制 (Switching Control in Electrical Systems)**:  
  在各种电气系统中,该 MOSFET 可以用于高压开关控制,如电力分配系统中的高压开关,保证系统的可靠性和稳定性。

**IRFI720GPBF-VB** 的高电压和中等电流处理能力使其成为多种高压和中等电流应用中的理想选择,特别是在电源管理和保护电路中表现出色。

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