1. **产品简介**
ZXMN3B04N8TA-VB 是一款单极性 N 通道 MOSFET，采用 Trench 技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）特性，适用于需要高效能和低功耗的应用。该产品具有 30V 的漏源电压（VDS）和 13A 的最大漏极电流（ID），适用于开关电源、电机驱动、负载开关等多种应用。
2. **详细参数说明**
- **封装类型**：SOP-8
- **配置**：单 N 通道
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：13A
- **技术**：Trench
3. **应用领域和模块**
ZXMN3B04N8TA-VB 可广泛应用于低电压、高效率的开关电源（如 DC-DC 转换器、步进电源），电机驱动（如无刷直流电机控制）、负载开关、负载保护、LED 驱动器等电路中。由于其低 RDS(ON) 特性，这款 MOSFET 能够在大电流应用中有效减少功耗并提高系统效率，特别适合需要高开关频率和小尺寸封装的设计。
