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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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XP131A1617SR-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: XP131A1617SR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介:XP131A1617SR-VB**

XP131A1617SR-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为低电压、高效能的开关应用设计。其最大漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)最大可承受±20V,适用于各种电源和负载开关电路。XP131A1617SR-VB具有非常低的导通电阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V时为11mΩ,在VGS=10V时为8mΩ,这使得其能够显著降低功率损耗并提升电路的整体效率。该MOSFET的栅源阈值电压(Vth)为1.7V,能够在较低的栅驱动电压下稳定工作,支持最大漏极电流(ID)为13A,广泛应用于需要高电流、大功率和高效率的场合。XP131A1617SR-VB采用Trench技术,提供较高的开关速度和较低的导通损耗,适用于电源管理、电动工具、LED驱动等多种应用。

### 2. **详细参数说明:XP131A1617SR-VB**

- **型号**: XP131A1617SR-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ(VGS=4.5V)
 - 8mΩ(VGS=10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench
- **最大功耗**: 2W(根据工作条件)
- **开关特性**: 低导通电阻,快速开关
- **工作温度范围**: -55°C 到 +150°C

### 3. **应用领域与模块示例**

XP131A1617SR-VB的低导通电阻、优异的开关特性和较大的漏极电流承受能力,使其在多个领域中表现出色,以下是几个典型应用:

- **电源管理与DC-DC转换器**:在各种电源管理应用中,如DC-DC转换器,XP131A1617SR-VB能够提供高效的功率转换。其低RDS(ON)能够显著减少功耗,提高电源转换效率,特别适用于需要高电流的低电压电源模块。

- **电池管理系统(BMS)**:在电动汽车(EV)、电动工具和其他移动设备的电池管理系统中,XP131A1617SR-VB能够高效地控制电流的流向,保护电池并提高能量使用效率。它在电池充放电过程中可提供稳定的电流开关,延长电池使用寿命。

- **LED驱动电路**:XP131A1617SR-VB适用于LED驱动应用,特别是在需要高效电流控制和低功率损耗的场合。其低导通电阻有助于减少驱动电路中的热量积累,确保LED的长寿命和稳定亮度。

- **电动工具与工业自动化**:XP131A1617SR-VB在电动工具(如电动钻、冲击扳手等)和其他高电流工业设备中广泛应用。该MOSFET能够提供强大的电流控制,帮助这些设备高效运行,减少能耗并提高可靠性。

- **智能电源与负载开关**:在高效能的智能电源系统中,XP131A1617SR-VB可用于负载开关和电流调节,确保高效能量传输。适合用于高频开关、电力控制等智能电网应用。

总的来说,XP131A1617SR-VB是一款高效、低功耗的MOSFET,适用于电源管理、电池管理、LED驱动和负载开关等领域,特别适合高电流、低电压以及需要快速开关响应的应用。

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