企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

UPA2782GR-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: UPA2782GR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:
**UPA2782GR-VB** 是一款单 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装,专为高效电源管理和开关应用设计。该 MOSFET 的最大漏极源极电压(VDS)为 30V,最大漏极电流(ID)为 13A,具有优异的导通特性。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 11mΩ,在 VGS=10V 时为 8mΩ,确保了最低的功率损耗。UPA2782GR-VB 使用 Trench 技术,以提高开关速度和降低导通电阻。该产品适用于要求高效率、低功耗和高开关频率的各类电源管理系统。

### 详细参数说明:
- **封装:** SOP8
- **配置:** 单 N-Channel MOSFET
- **最大漏极源极电压 (VDS):** 30V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID):** 13A
- **最大功率耗散 (Ptot):** 2W(取决于散热条件)
- **工作温度范围:** -55°C 至 +150°C
- **技术:** Trench(低导通电阻,高开关效率)

### 适用领域与模块:
1. **DC-DC 转换器:**
  UPA2782GR-VB 具有非常低的导通电阻和高电流承载能力,非常适合用于 DC-DC 转换器中。通过提高转换效率和降低热损耗,该 MOSFET 可帮助优化电池续航时间和减少热量的产生。无论是用于移动设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)还是工业设备的电源管理中,UPA2782GR-VB 都可以显著提高系统的效率和稳定性。

2. **电池管理系统(BMS):**
  该 MOSFET 在电池管理系统中尤为重要,尤其是在电池保护和充放电控制模块中。低 RDS(ON) 和高电流承载能力使其成为高效电池管理的关键组件。在电动汽车、智能电池和可再充电电池的管理中,UPA2782GR-VB 可帮助实现高效的充放电控制,延长电池寿命并减少系统的功率损耗。

3. **电动工具与便携式设备:**
  UPA2782GR-VB 还广泛应用于电动工具和便携式设备中,尤其是在这些设备的电源转换和管理部分。它可用于驱动电机、电池切换以及电源开关,确保在高效能的同时减少功率损耗和提升设备的工作效率。在高负载的电动工具和手持设备中,UPA2782GR-VB 提供了理想的电源开关解决方案。

4. **汽车电子与智能电源系统:**
  在智能电源系统和汽车电子中,UPA2782GR-VB 可以用作电源转换、负载开关和电池电压调节的关键组件。其低导通电阻和高电流承载能力能够有效优化功率管理,减少能量损耗并确保系统的高效运行。例如,在电动汽车的电池保护和电源调节模块中,UPA2782GR-VB 可帮助实现更高效的能源转换和管理,支持更长的续航时间和更高的系统稳定性。

5. **负载开关与电源保护:**
  由于其低 RDS(ON) 和高电流承载能力,UPA2782GR-VB 适用于各种电源保护和负载开关应用。它可以用于过流保护、过压保护、短路保护等电源管理系统中,帮助提高电路的可靠性并防止电气故障。在高效电源设计中,UPA2782GR-VB 可以用于负载开关模块,以提供稳定的电流切换并减少能量损耗。

### 总结:
UPA2782GR-VB 是一款高性能、低功率损耗的单 N-Channel MOSFET,适用于各类电源管理、开关控制和电池管理应用。其低导通电阻和高电流承载能力使其在 DC-DC 转换器、电池管理系统、电动工具、汽车电子、智能电源系统以及负载开关中发挥关键作用。凭借 Trench 技术,UPA2782GR-VB 在高频开关和低功率损耗方面具有出色的表现,是现代高效电源系统中不可或缺的核心元件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    693浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    581浏览量