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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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UPA1703-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: UPA1703-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### UPA1703-VB MOSFET 产品简介

**UPA1703-VB** 是一款采用 SOP8 封装的单 N 通道 MOSFET,专为低功率和高效能的电子应用设计。它的最大漏源电压(V_DS)为 30V,适用于低电压控制的电路。该 MOSFET 的栅源电压(V_GS)为 ±20V,具有较宽的工作电压范围,能够满足多种应用需求。其开启电压(V_th)为 1.7V,使得在较低的栅电压下即可正常开启,从而实现快速响应。

UPA1703-VB 采用 Trench 技术,具有非常低的导通电阻(R_DS(ON)),在 V_GS=4.5V 时为 11mΩ,而在 V_GS=10V 时为 8mΩ。这种低导通电阻有效降低了功率损耗,提供了高效的能量转换,适合在高效能电路中应用。该 MOSFET 的最大漏电流(I_D)为 13A,能够承受较高的电流,适用于负载较大的系统。

UPA1703-VB 是一款高效、可靠的开关元件,广泛应用于低电压电源管理、开关电路、电池管理等领域。

### 详细参数说明

- **型号**:UPA1703-VB  
- **封装类型**:SOP8  
- **配置**:单 N 通道 MOSFET  
- **漏源电压(V_DS)**:30V  
- **栅源电压(V_GS)**:±20V  
- **开启电压(V_th)**:1.7V  
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
 - 11mΩ(V_GS = 4.5V)
 - 8mΩ(V_GS = 10V)  
- **漏电流(I_D)**:13A  
- **技术**:Trench 技术  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **最大功率耗散**:最大功率耗散为 1W(取决于实际应用环境和热设计)

### 应用领域与模块示例

**1. 电池管理系统:**  
UPA1703-VB 的低导通电阻和较高的电流承载能力使其非常适合电池管理系统,特别是在电池充放电保护、过压过流保护等应用中。作为开关元件,它能够有效控制电流的流动,确保电池的安全使用并提高充电效率。

**2. 低功耗开关电路:**  
由于其低导通电阻和快速响应特性,UPA1703-VB 适用于低功耗开关电路。例如在小型消费电子产品中,如便携式设备和智能家居设备,作为信号开关元件,它能够在低功耗状态下快速切换,保证系统的效率和响应速度。

**3. 电源管理系统:**  
在电源管理系统中,UPA1703-VB 作为功率开关元件,可以用作 DC-DC 转换器中的开关,或者在功率调节电路中提供高效的能量传输。低导通电阻减少了转换过程中的能量损耗,提高了整体系统的效率,特别适用于对电源效率要求较高的应用场景。

**4. 无线通信设备:**  
UPA1703-VB 在无线通信设备中同样具有广泛应用,尤其在射频(RF)电路和信号调制中作为开关元件。它可以在较低的栅电压下工作,适合在射频信号处理中作为高频开关,确保信号传输的高效性和稳定性。

**5. 电动工具和汽车电子:**  
UPA1703-VB 的高电流承载能力和低功耗特性,使其在电动工具和汽车电子领域中也得到了广泛应用。在电动工具的电池管理、电动驱动系统中,MOSFET 可以作为开关元件,提高电流控制的效率,确保系统的安全运行。

通过这些应用示例,可以看出 **UPA1703-VB** 在低电压电源管理、电池保护、开关控制等多个领域中的重要作用,适用于高效能、低功耗和高电流处理的系统,广泛应用于智能设备、电源管理模块以及便携式电子产品中。

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