--- 产品参数 ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### UPA1703-VB MOSFET 产品简介
**UPA1703-VB** 是一款采用 SOP8 封装的单 N 通道 MOSFET,专为低功率和高效能的电子应用设计。它的最大漏源电压(V_DS)为 30V,适用于低电压控制的电路。该 MOSFET 的栅源电压(V_GS)为 ±20V,具有较宽的工作电压范围,能够满足多种应用需求。其开启电压(V_th)为 1.7V,使得在较低的栅电压下即可正常开启,从而实现快速响应。
UPA1703-VB 采用 Trench 技术,具有非常低的导通电阻(R_DS(ON)),在 V_GS=4.5V 时为 11mΩ,而在 V_GS=10V 时为 8mΩ。这种低导通电阻有效降低了功率损耗,提供了高效的能量转换,适合在高效能电路中应用。该 MOSFET 的最大漏电流(I_D)为 13A,能够承受较高的电流,适用于负载较大的系统。
UPA1703-VB 是一款高效、可靠的开关元件,广泛应用于低电压电源管理、开关电路、电池管理等领域。
### 详细参数说明
- **型号**:UPA1703-VB
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单 N 通道 MOSFET
- **漏源电压(V_DS)**:30V
- **栅源电压(V_GS)**:±20V
- **开启电压(V_th)**:1.7V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 11mΩ(V_GS = 4.5V)
- 8mΩ(V_GS = 10V)
- **漏电流(I_D)**:13A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大功率耗散**:最大功率耗散为 1W(取决于实际应用环境和热设计)
### 应用领域与模块示例
**1. 电池管理系统:**
UPA1703-VB 的低导通电阻和较高的电流承载能力使其非常适合电池管理系统,特别是在电池充放电保护、过压过流保护等应用中。作为开关元件,它能够有效控制电流的流动,确保电池的安全使用并提高充电效率。
**2. 低功耗开关电路:**
由于其低导通电阻和快速响应特性,UPA1703-VB 适用于低功耗开关电路。例如在小型消费电子产品中,如便携式设备和智能家居设备,作为信号开关元件,它能够在低功耗状态下快速切换,保证系统的效率和响应速度。
**3. 电源管理系统:**
在电源管理系统中,UPA1703-VB 作为功率开关元件,可以用作 DC-DC 转换器中的开关,或者在功率调节电路中提供高效的能量传输。低导通电阻减少了转换过程中的能量损耗,提高了整体系统的效率,特别适用于对电源效率要求较高的应用场景。
**4. 无线通信设备:**
UPA1703-VB 在无线通信设备中同样具有广泛应用,尤其在射频(RF)电路和信号调制中作为开关元件。它可以在较低的栅电压下工作,适合在射频信号处理中作为高频开关,确保信号传输的高效性和稳定性。
**5. 电动工具和汽车电子:**
UPA1703-VB 的高电流承载能力和低功耗特性,使其在电动工具和汽车电子领域中也得到了广泛应用。在电动工具的电池管理、电动驱动系统中,MOSFET 可以作为开关元件,提高电流控制的效率,确保系统的安全运行。
通过这些应用示例,可以看出 **UPA1703-VB** 在低电压电源管理、电池保护、开关控制等多个领域中的重要作用,适用于高效能、低功耗和高电流处理的系统,广泛应用于智能设备、电源管理模块以及便携式电子产品中。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12