企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

TSM4886CS RL-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: TSM4886CS RL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介:TSM4886CS RL-VB**

TSM4886CS RL-VB 是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为低电压高电流应用设计,适用于各种电源管理、开关电源和功率转换电路。该MOSFET具有极低的导通电阻(R_DS(ON) = 8mΩ @ V_GS = 10V),提供卓越的开关性能和能效,适合高效电源系统、自动化设备以及电池驱动应用。它的最大漏源电压(V_DS)为30V,最大漏电流(I_D)为13A,适合多种中低压电源电路中的应用。TSM4886CS RL-VB 采用Trench技术,以确保低导通损耗和快速开关特性,适用于要求高效率、低功耗的应用场合。

### 2. **详细参数说明:**

- **型号**:TSM4886CS RL-VB  
- **封装类型**:SOP8  
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)  
- **最大漏源电压(V_DS)**:30V  
- **栅极-源极电压(V_GS)**:±20V  
- **阈值电压(V_th)**:1.7V  
- **导通电阻(R_DS(ON))**:  
 - 11mΩ @ V_GS=4.5V  
 - 8mΩ @ V_GS=10V  
- **最大漏电流(I_D)**:13A  
- **技术类型**:Trench  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **最大功率损耗**:根据实际工作环境和散热条件进行评估  
- **栅极驱动电压范围**:±20V,适应广泛的控制需求  
- **封装特性**:SOP8封装,紧凑设计,提供良好的散热能力,适合高功率密度应用

### 3. **应用领域和模块示例:**

1. **高效开关电源(SMPS)**  
  TSM4886CS RL-VB 由于其超低导通电阻(8mΩ@V_GS=10V)和高电流能力(13A),非常适合在开关电源(SMPS)中使用。它可用于DC-DC转换器、电源适配器、工业电源等电力转换电路,通过低功耗和高效转换,帮助优化系统整体能效,降低发热并提高可靠性。

2. **电池管理系统(BMS)**  
  在电池管理系统(BMS)中,TSM4886CS RL-VB 常用于电池充放电管理、电池电压调节和负载切换。由于其高电流能力和低导通损耗,能够有效地提高电池管理系统的整体效率,确保电池在高负载下的可靠性。特别是在电动汽车(EV)和可再生能源储存系统中,这款MOSFET的低功耗特性能够延长电池的使用寿命。

3. **电动工具和家电电源管理**  
  该MOSFET 在电动工具、电动家电(如吸尘器、电动剃须刀)等设备的电源管理模块中应用。其高导电性和低导通电阻特点使其在高功率密度应用中表现出色,提供稳定的电流控制并有效减少系统中的热量产生,提升电动工具和家电设备的使用寿命和稳定性。

4. **LED驱动电路**  
  TSM4886CS RL-VB 可广泛应用于LED驱动电路中。它在高电流工作时,能有效地调节电流并保持低热损耗,从而确保LED灯具的高效能运行。在大功率LED照明和商业照明系统中,这款MOSFET能够帮助实现低功耗、高亮度输出,延长LED模块的使用寿命。

5. **汽车电子系统(ECU)**  
  在汽车电子控制单元(ECU)中,TSM4886CS RL-VB 适用于电池管理、电源转换和电动驱动系统的开关控制。它的低导通电阻和高电流能力使其在车载电源系统中能够提供稳定的电流调节,尤其是在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)等领域,确保电力电子模块的高效运行。

6. **无线通信设备**  
  TSM4886CS RL-VB 可以用于无线通信设备中的电源管理和高频开关电源,特别是在射频(RF)模块和射频功率放大器中。在这些应用中,MOSFET能够有效地降低功耗,提高工作效率,并确保设备在高负载下持续稳定工作。

7. **DC-DC转换器和逆变器**  
  在DC-DC转换器和逆变器中,TSM4886CS RL-VB 通过低导通电阻和高电流承载能力,提供高效能的电源转换。其在太阳能逆变器、通信电源、汽车电源等应用中,能够有效提升系统的稳定性和效率。

### 总结:

TSM4886CS RL-VB 是一款具有出色性能的N沟道MOSFET,适用于各种低电压高电流的应用领域。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源管理、LED驱动、电池管理和电动工具等多个模块中都表现出色,能够有效提高系统的效率、减少功率损耗,并增强系统的可靠性。无论是在高效开关电源、无线通信设备还是电动汽车的电力转换模块中,TSM4886CS RL-VB 都是非常理想的选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    709浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    590浏览量