企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

TM4884S-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: TM4884S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**TM4884S-VB** 是一款 **N 型单极场效应管 (MOSFET)**,采用 **SOP8** 封装,专为高效开关和负载控制应用设计。它具有 **30V** 的最大漏极源电压 (**VDS**) 和 **13A** 的最大漏极电流 (**ID**),适用于低电压电源和信号开关的应用。其导通电阻 **RDS(ON)** 在 **VGS=10V** 时为 **8mΩ**,能够提供较低的功率损耗,并确保电路的高效运行。采用 **Trench** 技术,具有较低的导通电阻和更高的开关效率,特别适合于高频率、高效能的电源和电流控制应用。

---

### 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8  
- **配置**:单极 N 型  
- **最大漏极源电压 (VDS)**:**30V**  
- **栅极源电压 (VGS)**:**±20V**  
- **阈值电压 (Vth)**:**1.7V**  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:  
 - **11mΩ**(在 **VGS=4.5V** 时)  
 - **8mΩ**(在 **VGS=10V** 时)  
- **最大漏极电流 (ID)**:**13A**  
- **技术类型**:Trench(沟槽型)  
- **最大功率损耗**:依据工作条件计算  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **最大源漏电流**:**13A**

---

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理与开关电源(Power Management and Switching Power Supplies)**  
  **TM4884S-VB** 由于其低导通电阻(**RDS(ON)**),使其成为高效 **DC-DC 转换器**、**电源适配器** 和 **负载开关** 中的理想选择。特别适合于用于 **电源管理模块** 中,提供稳定的电流控制和高效能的电源转换。它能够降低电源转换过程中的功率损耗,提高系统的总体效率。

2. **电池管理系统(Battery Management Systems, BMS)**  
  在 **电池管理系统** 中,**TM4884S-VB** 常用于 **电池保护**、**电池充电** 和 **电池放电** 控制电路。由于其低导通电阻,它能够在高电流负载下保持较低的功率损耗,帮助管理电池的充电与放电过程,确保系统的稳定性和电池的长寿命。广泛应用于 **便携式设备** 和 **电动工具** 等领域。

3. **负载开关(Load Switching)**  
  该 MOSFET 适用于 **负载开关** 应用,能够在控制电压和负载之间进行高效的开关操作。在 **智能家居设备**、**LED 灯控系统** 和 **工业自动化** 中,TM4884S-VB 提供稳定且高效的负载控制。其低 **RDS(ON)** 特性有助于降低功耗,并提高开关效率,减少热量产生。

4. **小型电动工具和家电控制(Small Electric Tools and Home Appliances Control)**  
  由于其较低的开关损耗和高效率,**TM4884S-VB** 适合用于 **小型电动工具**、**家用电器** 的开关控制模块。其能够有效地控制电动工具中的电流,提升设备的启动和运行效率,确保设备的高效能和稳定性。

5. **传感器接口和模拟信号开关(Sensor Interface and Analog Signal Switching)**  
  在 **传感器接口** 或 **模拟信号开关** 应用中,**TM4884S-VB** 能够提供优异的开关性能,低电阻和快速响应的特性使其能够有效处理模拟信号,广泛应用于 **音频设备**、**传感器信号处理** 和 **视频信号开关** 等领域。该 MOSFET 在高频应用中能够保证信号的稳定传输和低失真。

6. **电动驱动系统(Electric Drive Systems)**  
  在电动驱动系统中,如 **电动汽车** 和 **电动工具驱动** 中,**TM4884S-VB** 常用于 **电机驱动** 系统的开关控制。由于其低导通电阻和较高的漏极电流处理能力,它能够高效地调节电流,控制电机转速,并提高系统的能效,确保驱动系统稳定运行。

---

总结来说,**TM4884S-VB** 作为一款 **低导通电阻**、**高电流承载能力** 的 **N 型 MOSFET**,非常适合用于 **电源管理、负载开关、电池管理系统、智能家居、模拟信号开关、以及电动驱动系统等领域**。它能够提供高效的电流控制,降低功率损失,提高电路的整体效率,广泛应用于各种低电压、高频率和高效能的开关应用中。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    698浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    581浏览量