企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

SSM4816SM-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: SSM4816SM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **SSM4816SM-VB MOSFET 产品简介**

SSM4816SM-VB 是一款高效能的单 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为高电流、大功率的开关应用设计。其最大漏极-源极耐压(Vds)为 30V,能够支持 ±20V 的栅源电压(Vgs)。该 MOSFET 具有极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 时为 8mΩ,在 Vgs=4.5V 时为 11mΩ,使其在高负载电流和高频开关应用中具有优越的性能。SSM4816SM-VB 的最大漏极电流(Id)为 13A,适合多种功率开关应用,特别是在要求高效率和低功耗的系统中表现出色。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,能够提供更高的开关速度、更低的功率损耗和更稳定的性能,广泛应用于各种电子设备的电源管理、开关电源以及其他功率转换应用。

### **SSM4816SM-VB MOSFET 详细参数说明**

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压 (Vds)**:30V
- **栅极-源极电压 (Vgs)**:±20V
- **门槛电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (Rds(on))**:
 - 11mΩ @ Vgs = 4.5V
 - 8mΩ @ Vgs = 10V
- **漏极电流 (Id)**:13A
- **技术**:Trench 技术
- **最大结温 (Tj)**:150°C
- **最大功耗**:约 1.5W(实际值取决于应用和工作条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C

### **SSM4816SM-VB MOSFET 应用领域与模块举例**

1. **DC-DC 转换器**:
  - 在 DC-DC 转换器中,SSM4816SM-VB 可用作高效的开关元件。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性能够减少开关过程中的功率损耗,确保高效的能量转换。它在移动设备、电池供电设备及电力电子产品中,帮助提高转换效率,延长电池使用寿命。

2. **电池管理系统 (BMS)**:
  - 在电池管理系统中,SSM4816SM-VB 用于电池电流的高效开关控制,特别是在锂电池管理和电池保护电路中。它能够提供快速响应和高效的功率控制,降低电池系统的整体能量损失,延长电池的使用寿命。

3. **LED 驱动电路**:
  - 由于其低 Rds(on) 和高电流能力,SSM4816SM-VB 在 LED 驱动电路中被广泛应用。该 MOSFET 通过提供精确的电流控制和高效率的功率转换,确保 LED 灯具的稳定运行,并且有效减少热量产生,提高产品的可靠性和寿命。

4. **智能电源管理**:
  - 在智能电源管理系统中,SSM4816SM-VB 能够作为功率开关和调节元件,优化电源输出,减少能量损失。在移动设备、笔记本电脑、台式机等消费类电子设备中,能够为电池充电和电源分配提供高效的控制,优化电池的性能。

5. **汽车电子系统**:
  - 该 MOSFET 在汽车电子系统中也有应用,特别是用于电池电源管理和电动机驱动电路。它能有效控制电池的充放电过程,并且在电动汽车的动力系统中提供可靠的电流开关,提升系统的总体效率和响应速度。

6. **无线充电系统**:
  - 在无线充电系统中,SSM4816SM-VB 可用于功率调节和能量转换的开关控制。由于其快速开关特性和低 Rds(on) 电阻,它能够在高频充电过程中保持较低的功率损失,确保高效的电能传输。

7. **电动工具**:
  - 在电动工具中,SSM4816SM-VB 作为开关元件可优化电流传输,减少能量损耗,并为电动工具的电动机提供稳定的驱动电流。它可以帮助实现快速启动、停止控制以及效率优化,延长工具的使用时间和工作寿命。

8. **高效电动机驱动电路**:
  - 在高效电动机驱动电路中,SSM4816SM-VB 用于电流开关管理。它的低导通电阻和高电流承载能力使其适合在各种工业应用中控制大功率电动机,特别是在高效能和节能要求较高的场景下,如 HVAC 系统和自动化控制系统。

9. **低压负载开关应用**:
  - 在低压负载开关应用中,SSM4816SM-VB 能够作为高效的开关元件,用于电源分配和电流控制,适用于消费电子产品和便携设备中。这种应用在需要快速响应的系统中非常重要,如智能家居设备和通信系统。

### **总结**

SSM4816SM-VB 是一款高效能、低导通电阻的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,具有高电流承载能力(最大 13A)和低功耗特性。其应用领域广泛,包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、LED 驱动电路、电动工具、智能电源管理以及汽车电子系统等。凭借其低 Rds(on) 和高效性能,SSM4816SM-VB 能够在各种电源和负载开关应用中提供优异的功率控制性能,帮助提升系统效率并延长设备寿命。### **SSM4816SM-VB MOSFET 产品简介**

SSM4816SM-VB 是一款高效能的单 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为高电流、大功率的开关应用设计。其最大漏极-源极耐压(Vds)为 30V,能够支持 ±20V 的栅源电压(Vgs)。该 MOSFET 具有极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 时为 8mΩ,在 Vgs=4.5V 时为 11mΩ,使其在高负载电流和高频开关应用中具有优越的性能。SSM4816SM-VB 的最大漏极电流(Id)为 13A,适合多种功率开关应用,特别是在要求高效率和低功耗的系统中表现出色。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,能够提供更高的开关速度、更低的功率损耗和更稳定的性能,广泛应用于各种电子设备的电源管理、开关电源以及其他功率转换应用。

### **SSM4816SM-VB MOSFET 详细参数说明**

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压 (Vds)**:30V
- **栅极-源极电压 (Vgs)**:±20V
- **门槛电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (Rds(on))**:
 - 11mΩ @ Vgs = 4.5V
 - 8mΩ @ Vgs = 10V
- **漏极电流 (Id)**:13A
- **技术**:Trench 技术
- **最大结温 (Tj)**:150°C
- **最大功耗**:约 1.5W(实际值取决于应用和工作条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C

### **SSM4816SM-VB MOSFET 应用领域与模块举例**

1. **DC-DC 转换器**:
  - 在 DC-DC 转换器中,SSM4816SM-VB 可用作高效的开关元件。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性能够减少开关过程中的功率损耗,确保高效的能量转换。它在移动设备、电池供电设备及电力电子产品中,帮助提高转换效率,延长电池使用寿命。

2. **电池管理系统 (BMS)**:
  - 在电池管理系统中,SSM4816SM-VB 用于电池电流的高效开关控制,特别是在锂电池管理和电池保护电路中。它能够提供快速响应和高效的功率控制,降低电池系统的整体能量损失,延长电池的使用寿命。

3. **LED 驱动电路**:
  - 由于其低 Rds(on) 和高电流能力,SSM4816SM-VB 在 LED 驱动电路中被广泛应用。该 MOSFET 通过提供精确的电流控制和高效率的功率转换,确保 LED 灯具的稳定运行,并且有效减少热量产生,提高产品的可靠性和寿命。

4. **智能电源管理**:
  - 在智能电源管理系统中,SSM4816SM-VB 能够作为功率开关和调节元件,优化电源输出,减少能量损失。在移动设备、笔记本电脑、台式机等消费类电子设备中,能够为电池充电和电源分配提供高效的控制,优化电池的性能。

5. **汽车电子系统**:
  - 该 MOSFET 在汽车电子系统中也有应用,特别是用于电池电源管理和电动机驱动电路。它能有效控制电池的充放电过程,并且在电动汽车的动力系统中提供可靠的电流开关,提升系统的总体效率和响应速度。

6. **无线充电系统**:
  - 在无线充电系统中,SSM4816SM-VB 可用于功率调节和能量转换的开关控制。由于其快速开关特性和低 Rds(on) 电阻,它能够在高频充电过程中保持较低的功率损失,确保高效的电能传输。

7. **电动工具**:
  - 在电动工具中,SSM4816SM-VB 作为开关元件可优化电流传输,减少能量损耗,并为电动工具的电动机提供稳定的驱动电流。它可以帮助实现快速启动、停止控制以及效率优化,延长工具的使用时间和工作寿命。

8. **高效电动机驱动电路**:
  - 在高效电动机驱动电路中,SSM4816SM-VB 用于电流开关管理。它的低导通电阻和高电流承载能力使其适合在各种工业应用中控制大功率电动机,特别是在高效能和节能要求较高的场景下,如 HVAC 系统和自动化控制系统。

9. **低压负载开关应用**:
  - 在低压负载开关应用中,SSM4816SM-VB 能够作为高效的开关元件,用于电源分配和电流控制,适用于消费电子产品和便携设备中。这种应用在需要快速响应的系统中非常重要,如智能家居设备和通信系统。

### **总结**

SSM4816SM-VB 是一款高效能、低导通电阻的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,具有高电流承载能力(最大 13A)和低功耗特性。其应用领域广泛,包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、LED 驱动电路、电动工具、智能电源管理以及汽车电子系统等。凭借其低 Rds(on) 和高效性能,SSM4816SM-VB 能够在各种电源和负载开关应用中提供优异的功率控制性能,帮助提升系统效率并延长设备寿命。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1329浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    1040浏览量