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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SI4880EY-T1-E3-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: SI4880EY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:SI4880EY-T1-E3

SI4880EY-T1-E3 是一款基于 Trench 技术的单 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封装。该器件具有最大漏极源极电压 (V_DS) 30V,适用于低压应用,且其较低的导通电阻 (R_DS(ON)) 在不同栅源电压下表现出色,分别为 11mΩ(V_GS = 4.5V)和 8mΩ(V_GS = 10V)。MOSFET 具有 13A 的最大漏极电流 (I_D),非常适合在电源管理、负载开关、电动机驱动和其他要求高效率、高电流承载的应用中使用。得益于其 Trench 技术,SI4880EY-T1-E3 提供低功耗、快速响应和稳定性,是许多高效能电子设备中理想的开关元件。

### 详细参数说明

- **封装**:SOP8
- **配置**:单 N 型 MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:30V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
 - 8mΩ @ V_GS = 10V
 - 11mΩ @ V_GS = 4.5V
- **最大漏极电流 (I_D)**:13A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C

### 应用领域与模块示例

**1. 电源管理系统**
SI4880EY-T1-E3 在电源管理系统中非常适合用作高效的开关元件。由于其低导通电阻(R_DS(ON)),该器件可用于高效的 DC-DC 转换器和其他电源调节电路,提供更高的能效和更低的功耗。特别是在高频开关电源中,可以减少热损耗,提升系统的整体效率,广泛应用于笔记本电脑、消费电子、智能手机的电池充电和电源模块中。

**2. 电动机驱动**
在电动机驱动领域,SI4880EY-T1-E3 可用于控制小功率直流电动机 (DC Motor)。它在低电压下提供稳定的开关操作,具有较高的电流承载能力 (13A),使其适合用于家电、机器人、模型车等设备中电动机的高效驱动。其低 R_DS(ON) 特性能够减少电动机驱动电路的能量损失,提升系统的可靠性和效率。

**3. 负载开关**
SI4880EY-T1-E3 可作为负载开关应用中的高效 MOSFET,特别是在需要快速切换和低功耗的场合。例如,在各种便携设备的电池管理模块中,该 MOSFET 可以用于电池的开关控制,确保在待机模式下低功耗操作,并在负载变化时快速响应。

**4. LED 驱动**
该 MOSFET 还非常适用于 LED 驱动应用,尤其是在高亮度 LED 照明系统中。在 LED 驱动电路中,MOSFET 的低导通电阻能够降低功耗并提升转换效率,延长设备的使用寿命。无论是在室内照明、街道照明还是汽车照明等领域,SI4880EY-T1-E3 都能提供高效的电流调节能力。

**5. 移动设备的电源管理**
SI4880EY-T1-E3 可以应用于移动设备的电源管理模块。它可作为高效电源开关,支持快速切换和低损耗的操作,适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中。这些设备对电池续航有较高的要求,MOSFET 的高效性能够有效延长电池使用时间,提升用户体验。

总结来说,SI4880EY-T1-E3 的低 R_DS(ON)、较高的电流承载能力以及快速开关特性使其在多种应用中表现优异,特别是在高效电源管理、驱动电路、负载开关、LED 照明和移动设备中,都是理想的选择。

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