企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

SI4416DY-T1-E3-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: SI4416DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SI4416DY-T1-E3-VB MOSFET 产品简介

**SI4416DY-T1-E3-VB** 是一款 **N-Channel MOSFET**,采用 **SOP8** 封装,适用于高效电源管理、功率开关等应用。其 **最大漏源电压(V_DS)** 为 **30V**,最大栅源电压(V_GS)为 **±20V**。这款 MOSFET 在 **4.5V** 和 **10V** 的栅电压下分别具有 **低导通电阻(R_DS(ON))**:**11mΩ** 和 **8mΩ**,并且其 **最大漏极电流(I_D)** 达 **13A**。它的 **阈值电压(V_th)** 为 **1.7V**,意味着该 MOSFET 在较低的栅电压下即可开始导通,从而提高效率并降低能量损失。

采用 **Trench** 技术制造,**SI4416DY-T1-E3-VB** 特别适合应用于要求高效率、低功率损耗、快速开关的电子电路中,如 **DC-DC 转换器**、**电池管理系统**、以及 **电源开关**。其高电流处理能力使得它能够承受较大的负载并保持优异的热性能。

### SI4416DY-T1-E3-VB MOSFET 详细参数说明

| **参数**                | **说明**                                           |
|-------------------------|----------------------------------------------------|
| **封装**                 | SOP8                                               |
| **配置**                 | 单个 N-Channel MOSFET                              |
| **漏源电压(V_DS)**      | 30V                                                |
| **栅源电压(V_GS)**     | ±20V                                               |
| **阈值电压(V_th)**     | 1.7V                                               |
| **导通电阻(R_DS(ON))** | 11mΩ(V_GS = 4.5V)
8mΩ(V_GS = 10V)           |
| **漏极电流(I_D)**      | 13A                                                |
| **技术**                 | Trench(沟槽型技术)                               |

### SI4416DY-T1-E3-VB MOSFET 应用领域与模块示例

**1. DC-DC 转换器**
  - **SI4416DY-T1-E3-VB** 适用于 **DC-DC 转换器**,特别是 **降压转换器**(Buck Converter)和 **升压转换器**(Boost Converter)。该 MOSFET 的低导通电阻(R_DS(ON))使得它能有效地减少功率损耗,提高转换效率,广泛应用于高效电源转换系统中,如便携式电子设备、计算机电源等。

**2. 电池管理系统(BMS)**
  - 在 **电池管理系统**(BMS)中,该 MOSFET 可用于电池的 **充放电控制** 和 **电池保护**,有效优化电池的使用效率和寿命。由于其低导通电阻,能够有效减少在电池充电和放电过程中产生的能量损失,并提高系统的可靠性。

**3. 电源开关**
  - **SI4416DY-T1-E3-VB** 可用于电源开关和 **电源分配单元(PDU)** 中。其低R_DS(ON)特性使得它在高电流情况下工作时,能保持较低的热损失,帮助提高电源的整体效率。

**4. 电动工具和驱动电路**
  - 在 **电动工具** 和其他 **电动驱动系统** 中,该 MOSFET 可以作为高效的电源开关,控制电动机的启停。它能够承受较大的电流负载,提供稳定的开关性能,适用于电动工具、电动自行车等设备的驱动控制。

**5. 电动汽车(EV)和新能源应用**
  - **SI4416DY-T1-E3-VB** 也适用于 **电动汽车**(EV)和其他 **新能源电池系统**。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想选择,用于电动汽车的电池管理和功率控制系统,提高系统效率,减少功率损耗。

**6. 逆变器和太阳能电源**
  - 在 **逆变器** 和 **太阳能电源** 系统中,**SI4416DY-T1-E3-VB** 可用于 **DC-AC 转换**,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。由于其低导通电阻,能够有效提高光伏系统的能量转换效率和系统稳定性,特别是在大功率光伏逆变器和电网接入应用中。

### 总结

**SI4416DY-T1-E3-VB** 是一款具有 **低导通电阻** 和 **高电流承载能力** 的 **N-Channel MOSFET**,广泛应用于 **DC-DC 转换器**、**电池管理系统**、**电源开关**、**电动工具驱动系统**、**电动汽车电源管理** 和 **光伏逆变器** 等高效电源管理和功率转换领域。其优异的开关性能和低能量损耗使其成为各种功率管理和高效能电源系统的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1329浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    1040浏览量