企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

SI4128DY-T1-E3-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: SI4128DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SI4128DY-T1-E3-VB MOSFET 产品简介

**SI4128DY-T1-E3-VB** 是一款单 N-Channel MOSFET,采用 **SOP8** 封装,具有 **30V** 的最大漏源电压(V_DS)和 **±20V** 的栅源电压(V_GS)。它基于先进的 **Trench** 技术,提供极低的导通电阻(R_DS(ON)),分别为 **11mΩ**(V_GS = 4.5V)和 **8mΩ**(V_GS = 10V),从而实现高效能量转换并减少功率损失。该 MOSFET 的最大漏极电流(I_D)为 **13A**,并具有 **1.7V** 的阈值电压(V_th),适合在较低的栅源电压下进行驱动,确保高效的开关性能。这使得 **SI4128DY-T1-E3-VB** 非常适用于高频率开关电源、电池管理系统以及其他高功率应用中。

### SI4128DY-T1-E3-VB MOSFET 详细参数说明

| **参数**                | **说明**                                           |
|-------------------------|----------------------------------------------------|
| **封装**                 | SOP8                                               |
| **配置**                 | 单 N-Channel                                        |
| **漏源电压(V_DS)**      | 30V                                                |
| **栅源电压(V_GS)**     | ±20V                                               |
| **阈值电压(V_th)**     | 1.7V                                               |
| **导通电阻(R_DS(ON))** | 11mΩ(V_GS = 4.5V)
8mΩ(V_GS = 10V)            |
| **漏极电流(I_D)**      | 13A                                                |
| **技术**                 | Trench(沟槽型技术)                               |

### SI4128DY-T1-E3-VB MOSFET 应用领域与模块示例

**1. 开关电源(SMPS)**
  - **SI4128DY-T1-E3-VB** MOSFET 的低导通电阻和高电流能力使其在高频开关电源应用中表现出色。尤其适用于AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器等功率管理设备。该 MOSFET 的低 R_DS(ON) 特性确保了较小的功率损耗和更高的系统效率。在这些应用中,它不仅能够提高能量转换效率,还能有效减少热量生成,从而提升系统的可靠性和稳定性。

**2. 电池管理系统(BMS)**
  - 在电池管理系统中,**SI4128DY-T1-E3-VB** MOSFET 用于电池的充电和放电控制。由于其低导通电阻和高电流处理能力,这款 MOSFET 可以高效地调节电池电流,保护电池免受过流和过压等风险。它非常适合用于电动汽车(EV)、储能系统以及便携式电子设备中,通过精确的电池电流控制,提升电池的使用寿命和充放电效率。

**3. 负载开关**
  - 由于其低导通电阻,**SI4128DY-T1-E3-VB** 适用于各种负载开关应用,能够高效地切换电流,并提供极低的功耗和热量。在家电、智能家居设备、电动工具等领域中,它能够帮助精确控制电流流动,确保设备在启停过程中的稳定性。这对于要求高开关频率和高效能的负载开关电路至关重要。

**4. 高效能电源管理**
  - **SI4128DY-T1-E3-VB** 可用于高效的电源管理应用,例如在LED驱动、电动工具、电动玩具等设备中控制电源的开启和关闭。其出色的导通电阻(R_DS(ON))性能,使其能够高效管理电源流,减少不必要的能量损耗,并延长系统的运行时间。在这些领域中,它能够稳定工作,提供可靠的电源控制功能,尤其适用于对能效要求较高的应用。

**5. 电源稳压和调节电路**
  - 在电源稳压和调节应用中,**SI4128DY-T1-E3-VB** MOSFET 由于其极低的导通电阻(R_DS(ON)),能够提供高效的电流调节能力,确保电压的稳定输出。该 MOSFET 可应用于各种电压稳压器、升压/降压转换器等电源模块中,特别适合于要求高稳定性和效率的系统。它的高电流承载能力使其在高负载应用中同样能够维持高效工作,确保系统不受过载的影响。

**总结:**
**SI4128DY-T1-E3-VB** 是一款高效的单 N-Channel MOSFET,具有极低的导通电阻和高电流承载能力。它特别适合用于开关电源、电池管理系统、负载开关、电源调节以及电动工具和家电等高效能电源管理应用。通过提供高效的能量转换和电流控制,它有助于提升系统效率、减少功率损耗,并延长设备的使用寿命。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1329浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    1040浏览量