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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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RXH070N03-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: RXH070N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介(RXH070N03-VB MOSFET)

RXH070N03-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOP8封装,适合中低功率应用。该MOSFET具有30V的漏极-源极电压(VDS)和±20V的最大栅源电压(VGS),其阈值电压(Vth)为1.7V,支持低电压启动。其导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为11mΩ,在VGS=10V时为8mΩ,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。最大漏极电流(ID)为13A,适用于功率转换、电源管理及开关电路等应用。RXH070N03-VB采用Trench技术,优化了开关特性,提供低导通电阻和较高的开关频率,广泛应用于各种需要低功耗和高效率的电源系统。

### 详细参数说明

- **型号**: RXH070N03-VB
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单一N型沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: 30V
- **最大栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 13A
- **技术类型**: Trench技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **最大功率损耗**: 45W(具体根据散热条件而定)
- **结温**: 150°C(最大)

### 典型应用领域和模块

1. **DC-DC转换器**
  - RXH070N03-VB MOSFET非常适用于高效率DC-DC转换器,特别是在要求低导通电阻和高开关频率的应用中。该MOSFET能够显著降低功率损耗,提高电源转换效率。
  - **应用示例**: 在消费电子产品(如智能手机、笔记本电脑)中,MOSFET用于电池管理和电源模块中,确保稳定的电力供应并优化能量转换效率。

2. **电池管理系统(BMS)**
  - 该MOSFET的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电池管理系统中,尤其是在电池的充放电保护电路中。其低功耗特性可以有效提高电池使用寿命。
  - **应用示例**: 在电动工具、便携式电池设备或电动汽车的BMS系统中,RXH070N03-VB作为开关元件,用于电池的过充、过放保护,确保电池的安全运行。

3. **电动工具和小型电机驱动**
  - RXH070N03-VB在电动工具和电机驱动系统中有着广泛的应用。其能够快速开关并承载较高电流,适合用于各种小型电机的高效驱动。
  - **应用示例**: 在电动工具的电机驱动中,MOSFET能够提供低损耗、高效率的电力供应,优化电机启动和运行的稳定性。

4. **LED驱动电路**
  - 在LED驱动电路中,RXH070N03-VB可以用作高效开关元件,通过其低导通电阻实现快速切换和高效的电流调节,适合用于大功率LED的驱动。
  - **应用示例**: 在高功率LED照明系统中,MOSFET作为开关元件控制LED的电流,保证其稳定工作,并提供高效能量转化。

5. **无线通信模块**
  - RXH070N03-VB也适用于无线通信模块中,特别是在低功耗、高频应用中。其高频开关特性和低导通电阻,使其能够高效调节信号并提供稳定的功率管理。
  - **应用示例**: 在无线传感器网络和物联网设备中,MOSFET可以用来管理电源,同时保证高频信号的稳定传输和低功耗操作。

6. **智能家居和物联网设备**
  - 在智能家居和物联网设备中,RXH070N03-VB可以作为功率管理的核心组件,提供低功耗、高效的开关控制,支持设备的长时间稳定运行。
  - **应用示例**: 在智能门锁、智能灯光控制或家庭自动化设备中,MOSFET负责控制电流流动,确保电池或电源的高效利用,并延长设备的使用时间。

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