--- 产品参数 ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### RQA130N03-TB-VB
### RQA130N03-TB-VB 产品简介
RQA130N03-TB-VB 是一款高效能的单N通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为低电压和高电流应用设计。该器件最大漏极-源电压为30V,最大漏极电流达到13A,具有卓越的开关性能和低导通电阻。这使得 RQA130N03-TB-VB 在电源管理和高频开关应用中表现出色,是许多电子设计中的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: RQA130N03-TB-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极-源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极-源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: RQA130N03-TB-VB 常用于电源转换器和调节电路中,能够有效提高能量转换效率,降低功率损耗,适合用于开关电源和电池管理系统。
2. **电动机控制**: 在电动机驱动应用中,该 MOSFET 可提供高效的电流控制和快速的开关响应,适用于各种电动工具和自动化设备。
3. **LED照明**: RQA130N03-TB-VB 适合用于LED驱动电路中,能够有效控制电流和提升LED的亮度,同时保持高效的开关性能。
4. **便携式设备**: 在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中,该器件能够有效管理电源,延长电池续航时间,提高设备的整体性能。
5. **通信设备**: RQA130N03-TB-VB 可用于各种通信设备的电源管理模块,提供稳定的开关功能,确保设备在高负载情况下的正常运行。
通过这些应用示例,RQA130N03-TB-VB 展示了其在低电压电力电子领域的广泛适用性和重要性。### RQA130N03-TB-VB
### RQA130N03-TB-VB 产品简介
RQA130N03-TB-VB 是一款高效能的单N通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为低电压和高电流应用设计。该器件最大漏极-源电压为30V,最大漏极电流达到13A,具有卓越的开关性能和低导通电阻。这使得 RQA130N03-TB-VB 在电源管理和高频开关应用中表现出色,是许多电子设计中的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: RQA130N03-TB-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极-源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极-源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: RQA130N03-TB-VB 常用于电源转换器和调节电路中,能够有效提高能量转换效率,降低功率损耗,适合用于开关电源和电池管理系统。
2. **电动机控制**: 在电动机驱动应用中,该 MOSFET 可提供高效的电流控制和快速的开关响应,适用于各种电动工具和自动化设备。
3. **LED照明**: RQA130N03-TB-VB 适合用于LED驱动电路中,能够有效控制电流和提升LED的亮度,同时保持高效的开关性能。
4. **便携式设备**: 在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中,该器件能够有效管理电源,延长电池续航时间,提高设备的整体性能。
5. **通信设备**: RQA130N03-TB-VB 可用于各种通信设备的电源管理模块,提供稳定的开关功能,确保设备在高负载情况下的正常运行。
通过这些应用示例,RQA130N03-TB-VB 展示了其在低电压电力电子领域的广泛适用性和重要性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12