--- 产品参数 ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTMS4N01R2G-VB 产品简介
NTMS4N01R2G-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET,采用SOP8封装设计,专为高效电源管理和开关应用而优化。其低导通电阻和适中的阈值电压使其在各种电子设备中实现高效开关操作,提供优异的功耗性能和系统稳定性。该MOSFET非常适合应用于消费电子、汽车电子和电源管理系统,能够满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。
### 详细参数说明
- **型号**: NTMS4N01R2G-VB
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单N通道MOSFET
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**
NTMS4N01R2G-VB 在开关电源(SMPS)和其他电源管理应用中被广泛使用。其低导通电阻有助于提高转换效率,降低能量损耗,确保电源系统的高效运行。
2. **LED驱动电路**
该MOSFET 可作为LED驱动电路中的开关,实现精确的电流调节和亮度控制,广泛应用于照明和显示技术中。
3. **电动机控制**
NTMS4N01R2G-VB 在电动机驱动应用中能够有效控制电机的启停,适合用于电动工具、家电以及各种电动设备的控制系统。
4. **汽车电子**
此器件适合用于汽车电子系统中的电源开关和负载控制,能够在动力系统和照明系统中确保高效和稳定的性能。
5. **消费电子产品**
在智能手机、平板电脑及其他消费电子产品中,NTMS4N01R2G-VB 可以用作电源开关或负载控制器,优化设备的性能和续航能力。
综上所述,NTMS4N01R2G-VB
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12