--- 产品参数 ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、MPC50N06-VB 产品简介
MPC50N06-VB 是一款 **单 N-沟道 MOSFET**,采用 **TO-220 封装**,专为高电流应用和电力控制而设计。该器件的漏源电压 (VDS) 为 **60V**,栅源电压 (VGS) 支持 **±20V**,确保在高压和大电流条件下的可靠操作。MPC50N06-VB 的阈值电压 (Vth) 为 **1.7V**,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 **13mΩ**,在 VGS=10V 时进一步降低至 **11mΩ**,使其在高电流环境中具有极低的损耗。该 MOSFET 的最大漏极电流 (ID) 为 **60A**,适合高效电源模块和负载开关的应用。MPC50N06-VB 使用 **Trench 技术**,具有更低的开关损耗和更高的导电性,是工业、汽车和消费电子领域中电源管理的理想选择。
---
### 二、MPC50N06-VB 详细参数说明
| **参数** | **描述与值** |
|-------------------------|---------------------------------------|
| **封装 (Package)** | TO-220 |
| **极性 (Configuration)**| 单 N-沟道 MOSFET |
| **漏源电压 (VDS)** | 60V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **开启电压 (Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 13mΩ @ VGS = 4.5V
11mΩ @ VGS = 10V |
| **漏极电流 (ID)** | 60A |
| **技术 (Technology)** | Trench 技术 |
| **功耗 (Pd)** | 取决于散热条件,典型值可达 120W |
| **工作温度范围** | -55°C 至 175°C |
---
### 三、MPC50N06-VB 应用领域与模块
1. **电动汽车与电池管理系统**
- MPC50N06-VB 常用于 **电池管理系统 (BMS)** 中的高效负载开关和电流控制。其高电流处理能力和低导通电阻有助于减少发热,提高电动汽车电源系统的性能。
2. **DC-DC 转换器与开关电源**
- 在 **DC-DC 转换器** 和 **开关电源 (SMPS)** 中,该 MOSFET 用于高速开关和能量传递,以提升转换效率并确保电源稳定性。
3. **马达控制与驱动器模块**
- 由于其高额定电流和低 RDS(ON),MPC50N06-VB 非常适合用于 **马达驱动电路**,如电动工具、电动汽车以及工业自动化中的电机控制模块。
4. **光伏与储能系统**
- 在 **太阳能逆变器** 和储能系统中,该 MOSFET 可用于控制能量流动,实现高效的电能传输和管理。
5. **家电与消费电子产品**
- 适用于空调、冰箱等 **家电设备** 中的负载开关电路,通过其高效开关性能确保设备的高可靠性和能效。
6. **不间断电源 (UPS)**
- MPC50N06-VB 也适用于 UPS 系统,用于控制备用电源的启停和电流调节,确保在电力中断时快速响应。
MPC50N06-VB 凭借其高电流能力、低导通损耗和广泛的应用场景,是满足现代电力管理和负载控制需求的理想选择。
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