--- 产品参数 ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### MMSF6N01HD-VB 产品简介
MMSF6N01HD-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,设计用于需要高电流和低导通电阻的应用。该器件具有 30V 的最大漏极-源极电压 (V_DS),在高达 13A 的漏极电流 (I_D) 下工作,支持 ±20V 的栅极-源极电压 (V_GS)。MMSF6N01HD-VB 采用先进的 **Trench 技术**,在 4.5V 和 10V 的栅极电压下分别提供 11mΩ 和 8mΩ 的导通电阻,使其在功率管理和开关电路中表现出色。
### 详细参数说明
- **型号**: MMSF6N01HD-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (V_DS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 11mΩ @ V_GS = 4.5V
- 8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**: 13A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
1. **电源管理**: MMSF6N01HD-VB 非常适合用于 **DC-DC 转换器**和电源开关模块。它能够在转换过程中保持高效率,降低能量损耗,使得设备在运行时更加节能。
2. **负载开关**: 该 MOSFET 可以用于负载开关应用,适用于家电、消费电子等设备中,以确保在需要时能够快速而高效地控制电源。
3. **电机驱动**: 在电动机控制中,该器件可用作 H 桥电路中的低边开关,确保电流的稳定传输并提高电机的启动和运行性能。
4. **LED 驱动**: 在 LED 照明和显示应用中,MMSF6N01HD-VB 可用于高效的驱动电路,确保 LED 的亮度稳定和延长使用寿命。
5. **便携式设备**: 在移动设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,该器件可以有效管理电源,提升电池效率和延长续航时间。
6. **工业自动化**: MMSF6N01HD-VB 也适用于工业自动化系统中的信号开关,确保系统的可靠性和快速响应能力。
通过使用 MMSF6N01HD-VB,设计工程师可以在多种应用中实现高效的电流控制和电源管理,提高整体系统的性能和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12