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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MMSF3300R2G-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: MMSF3300R2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:MMSF3300R2G-VB MOSFET  

MMSF3300R2G-VB是一款**单N通道MOSFET**,采用SOP8封装,专为需要高效能和紧凑设计的电路而打造。其漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)范围为±20V,支持在低电压条件下实现稳定的开关功能。MMSF3300R2G-VB的阈值电压(Vth)为1.7V,确保了快速开启。基于**Trench技术**的设计,该MOSFET在4.5V和10V的栅电压下分别具有11mΩ和8mΩ的低导通电阻,支持最大13A的连续电流,使其非常适合用于高电流、低电压的电源管理和负载控制场景。  

---

### 详细参数说明  

| **参数**                | **数值**               | **说明** |
|------------------------|-----------------------|----------|
| **封装类型**            | SOP8                   | 8引脚表面贴装封装,适合紧凑设计 |
| **配置**                | Single-N-Channel       | 单N通道,适合单向开关控制 |
| **VDS(漏源电压)**     | 30V                    | 最大耐受漏源电压 |
| **VGS(栅源电压)**     | ±20V                  | 最大允许栅极电压 |
| **Vth(阈值电压)**     | 1.7V                   | MOSFET开启的最小栅电压 |
| **RDS(ON)@VGS=4.5V**   | 11mΩ                   | 导通电阻(4.5V时) |
| **RDS(ON)@VGS=10V**    | 8mΩ                    | 导通电阻(10V时) |
| **ID(漏极电流)**      | 13A                    | 最大连续漏极电流 |
| **技术**                | Trench                | 沟槽型技术,提升电流处理能力和效率 |

---

### 应用领域与模块示例  

1. **电源管理和DC-DC转换器**  
  - **应用示例**:在笔记本电脑或智能家居设备中的DC-DC降压转换器  
  - **优势**:MMSF3300R2G-VB的低导通电阻和高电流支持能够减少能量损失,提高电源转换效率,非常适用于要求高效电源管理的系统。

2. **电池管理系统(BMS)**  
  - **应用示例**:用于电动自行车和储能系统中的BMS电路  
  - **优势**:凭借其高电流能力和低损耗特性,该MOSFET能够在充放电过程中高效管理大电流流动,确保系统安全稳定运行。

3. **负载开关**  
  - **应用示例**:在便携式电子设备中的负载控制模块  
  - **优势**:该器件的快速开关特性和高电流能力使其成为智能手机、平板电脑等设备中电源分配和切换的理想选择。

4. **电机控制**  
  - **应用示例**:适用于小型风扇、电动玩具或自动化设备中的电机驱动  
  - **优势**:MOSFET的13A电流支持,能够确保小型电机的稳定运行,适合各种自动化应用。

MMSF3300R2G-VB凭借其高性能和可靠性,在电源管理、BMS、负载开关和电机控制等领域展现出广泛的应用前景,为设计人员提供了低损耗、高效能的开关解决方案。

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